[發明專利]光束成像裝置

有效

• 申請號: 201711184560.7
• 申請日: 2017-11-23
• 公開（公告）號: CN109830488B
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發明（設計）人: 田立飛;劉敬偉;張新群;仝飛
• 申請（專利權）人: 國科光芯（海寧）科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L33/10
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 張建綱

1.一種光束成像裝置，該裝置包括襯底層、圖形層、鈍化層和電極層，其特征在于，所述襯底層包括底層和表層，所述圖形層位于所述襯底層的所述表層的上方，所述圖形層包括底層和表層，所述襯底層的所述底層為半導體或絕緣體材料，所述襯底層的所述表層為禁帶寬度不小于2.3eV且折射率不高于所述圖形層的所述底層的折射率的低折射寬禁帶材料，所述圖形層由圖形單元構成，所述圖形層的所述底層為禁帶寬度不小于2.3eV且折射率高于2.3的高折射寬禁帶半導體材料，所述圖形層的所述表層為禁帶寬度不小于2.3eV且折射率不高于所述圖形層的所述底層的折射率的低折射寬禁帶材料，所述鈍化層位于所述圖形層的所述表層的上方，所述鈍化層為禁帶寬度不小于2.3eV且折射率不高于所述圖形層的所述表層的折射率的低折射寬禁帶材料，所述電極層位于所述圖形層的所述表層的上方，所述電極層包括正電極和負電極，所述正電極和所述負電極分別與所述圖形層的所述表層相接觸，所述電極層為電阻率不大于5×10-7Ω·m且與所述圖形層的接觸勢壘不大于1.5eV的具有低電阻率和低接觸勢壘的金屬、合金或金屬/氧化物復合材料。

2.根據權利要求1所述的光束成像裝置，其特征在于，

所述襯底層的所述底層包括但不限于Si、SiO2和Al2O3材料。

3.根據權利要求1所述的光束成像裝置，其特征在于，所述襯底層的所述底層的厚度為0.1mm-10mm。

4.根據權利要求1所述的光束成像裝置，其特征在于，所述襯底層的所述表層包括但不限于ZnS、AlP、GaP、SiC、GaN、AlN、TiO2、ZnO和ITO材料。

5.根據權利要求1所述的光束成像裝置，其特征在于，所述襯底層的所述表層的厚度為300nm-3000nm。

6.根據權利要求1所述的光束成像裝置，其特征在于，所述圖形層的所述底層的圖形單元為長方體，該長方體的厚度為5nm-500nm，寬度為5nm-1000nm，長度沒有限制。

7.根據權利要求1所述的光束成像裝置，其特征在于，所述圖形層的所述底層的圖形單元的間距為5nm-1000nm。

8.根據權利要求1所述的光束成像裝置，其特征在于，所述圖形層的所述表層包括但不限于ZnS、AlP、GaP、SiC、GaN、AlN、TiO2、ZnO和ITO材料。

9.根據權利要求1所述的光束成像裝置，其特征在于，所述圖形層的所述表層的圖形單元為長方體或圓柱。

10.根據權利要求1所述的光束成像裝置，其特征在于，所述圖形層的所述表層的厚度為5nm-1000nm。

11.根據權利要求9所述的光束成像裝置，其特征在于，所述圖形層的所述表層的圖形單元為長方體，所述長方體的寬度為5nm-1000nm，長度沒有限制。

12.根據權利要求9所述的束成像裝置，其特征在于，所述圖形層的所述表層的圖形單元為圓柱體，所述圓柱直徑為5nm-1000nm。

13.根據權利要求1所述的光束成像裝置，其特征在于，所述圖形層的所述表層的圖形單元的間距為5nm-1000nm。

14.根據權利要求1所述的光束成像裝置，其特征在于，所述鈍化層包括但不限于Si、SiO2和Al2O3材料。

15.根據權利要求1所述的光束成像裝置，其特征在于，所述鈍化層的厚度為5nm-3000nm。

16.根據權利要求1所述的光束成像裝置，其特征在于，所述電極層包括但不限于Ag、Cu、Au、Al、Pt、Ni、Cr、Ti和ITO材料。

17.根據權利要求1所述的光束成像裝置，其特征在于，所述電極層的厚度為5nm-500nm。