[發明專利]三維存儲結構連線方法、存儲結構、存儲器及電子設備在審
| 申請號： | 201711184323.0 | 申請日： | 2017-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN107946237A | 公開（公告）日： | 2018-04-20 |
| 發明（設計）人： | 王鵬程;王喆 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京辰權知識產權代理有限公司11619 | 代理人： | 劉廣達 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市洪山區東*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 三維 存儲 結構 連線 方法 存儲器 電子設備 | ||
1.一種三維存儲結構連線方法，其特征在于，包括：
形成目標通孔，以及在所述目標通孔的頂端形成通孔擴展區；
在所述目標通孔中形成接觸線，以及在所述通孔擴展區中形成與所述接觸線連接的接觸墊；
基于所述接觸墊形成與所述接觸線連接的金屬連線。
2.根據權利要求1所述的三維存儲結構連線方法，其特征在于，所述在所述目標通孔的頂端形成通孔擴展區，包括：
采用雙大馬士革工藝在所述目標通孔的頂端形成通孔擴展區。
3.根據權利要求2所述的三維存儲結構連線方法，其特征在于，所述采用雙大馬士革工藝在所述目標通孔的頂端形成通孔擴展區，包括：
在三維存儲結構上表面形成硬掩膜；
通過曝光定義目標通孔的通孔擴展區；
根據曝光結果，采用刻蝕工藝在所述目標通孔的頂端刻蝕出通孔擴展區。
4.根據權利要求3所述的三維存儲結構連線方法，其特征在于，所述在三維存儲結構上表面形成硬掩膜，包括：
通過先后沉積非晶碳和氮氧化硅，在三維存儲結構上表面形成硬掩膜。
5.根據權利要求1所述的三維存儲結構連線方法，其特征在于，所述在所述目標通孔中形成接觸線，以及在所述通孔擴展區中形成與所述接觸線連接的接觸墊，包括：
向所述目標通孔和所述通孔擴展區中填充金屬，所述金屬在所述目標通孔中形成接觸線并在所述通孔擴展區中形成接觸墊。
6.根據權利要求1至5任一項所述的三維存儲結構連線方法，其特征在于，所述目標通孔包括：臺階區通孔和/或外圍電路通孔。
7.一種三維存儲結構，其特征在于，所述三維存儲結構中設有目標通孔，所述目標通孔的頂部設有通孔擴展區；
所述目標通孔中設有接觸線，所述通孔擴展區中設有接觸墊；
所述接觸線通過所述接觸墊與上方的金屬連線連接。
8.根據權利要求7所述的三維存儲結構，其特征在于，所述目標通孔包括：臺階區通孔和/或外圍電路通孔。
9.一種三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器中設置有權利要求7或8所述的三維存儲結構。
10.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備中設置有權利要求9所述的三維存儲器。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
