[發明專利]三維存儲結構制作方法、存儲結構、存儲器及電子設備

在審

• 申請號: 201711184313.7
• 申請日: 2017-11-23
• 公開（公告）號: CN107946306A
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 霍宗亮;周文斌;張磊;楊鵬
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11551
• 分類號: H01L27/11551;H01L27/11578;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/06
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司11619
• 代理人: 劉廣達

1.一種三維存儲結構制作方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成凹陷區；

在所述凹陷區形成三維存儲器件；

在非凹陷區形成外圍電路。

2.根據權利要求1所述的三維存儲結構制作方法，其特征在于，所述在襯底上形成凹陷區，包括：

采用刻蝕工藝在襯底上刻蝕出凹陷區，所述凹陷區的深度大于或等于待制作的三維存儲器件的厚度。

3.根據權利要求1所述的三維存儲結構制作方法，其特征在于，在非凹陷區形成外圍電路之前，還包括：；

全面形成第一隔離層；

對所述第一隔離層進行全面平坦化；

所述在非凹陷區形成外圍電路，包括：

在對應于非凹陷區的第一隔離層上形成外圍電路。

4.根據權利要求1所述的三維存儲結構制作方法，其特征在于，在非凹陷區形成外圍電路之后，還包括：

全面形成第二隔離層；

對所述第二隔離層進行全面平坦化；

基于所述第二隔離層，形成所述外圍電路與所述三維存儲器件之間的金屬連線。

5.一種三維存儲結構，其特征在于，包括：襯底、三維存儲器件和外圍電路；

所述襯底上設置有凹陷區和非凹陷區；

所述三維存儲器件設于所述襯底上的凹陷區；

所述外圍電路設于所述襯底上的非凹陷區。

6.根據權利要求5所述的三維存儲結構，其特征在于，所述凹陷區的深度大于或等于所述三維存儲器件的厚度。

7.根據權利要求5所述的三維存儲結構，其特征在于，還包括：第一隔離層；

所述第一隔離層設于所述三維存儲器件與所述外圍電路之間。

8.根據權利要求5所述的三維存儲結構，其特征在于，還包括：第二隔離層和金屬連線；

所述第二隔離層設于所述外圍電路之上；

所述金屬連線設于所述第二隔離層之上，并穿過所述第二隔離層連接所述外圍電路和所述三維存儲器件。

9.一種三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器中設置有權利要求5至8任一項所述的三維存儲結構。

10.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備中設置有權利要求9所述的三維存儲器。