[發明專利]一種精確定位電遷移測試中空洞位置的方法

在審

• 申請號: 201711184304.8
• 申請日: 2017-11-23
• 公開（公告）號: CN107993953A
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發明（設計）人: 蔚倩倩;李桂花;仝金雨;李品歡;劉慧麗
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司11619
• 代理人: 劉廣達

1.一種精確定位電遷移測試中空洞位置的方法，包括以下步驟：

制備需要進行測試的微電子器件，所述微電子器件至少包括用于導電的金屬線，以及覆蓋金屬線的鈍化層用以保護所述金屬線；

將上述制備好的微電子器件樣品置于聚焦粒子束機臺中，利用聚焦離子束技術將覆蓋金屬線的鈍化層的至少一部分清除掉，以露出待測試的金屬線的至少一部分；

將上述樣品利用納米探針接觸金屬線露出的部分。

2.如權利要求1所述的一種精確定位電遷移測試中空洞位置的方法，其特征在于，將上述樣品利用納米探針接觸金屬線露出的部分包括，接觸金屬線的納米探針接地，利用納米探針的接地作用，使與納米探針相連通的金屬線置于低電位，而金屬線中存在空洞的地方，由于不導通成為高阻的地方而處于高電位，低電位的地方有利于二次電子的逸出，而高電位的地方則沒有或基本沒有二次電子的逸出，從而使導通和不導通區域利用聚焦離子束二次電子成像技術呈現分明的明暗對比，實現金屬線中空洞位置的精確定位。

3.如權利要求1或2所述的一種精確定位電遷移測試中空洞位置的方法，其特征在于，所述微電子器件為三維存儲器，所述三維存儲器包括存儲陣列區，位于存儲陣列區兩側的臺階區以及外圍電路區，三維存儲器包括多個層疊的存儲單元，以及用于信號傳輸和控制的金屬線，上述金屬線包括：字線，位線以及金屬柱塞結構。

4.如權利要求1或2所述的一種精確定位電遷移測試中空洞位置的方法，其特征在于，在將覆蓋金屬線的鈍化層的至少一部分清除掉之后，還包括對樣品表面進行清洗，以保持待測試樣品表面的清潔度，并使用氮氣槍對待測試樣品進行吹干處理，以去除待測試樣品上殘留的水分。

5.如權利要求1或2所述的一種精確定位電遷移測試中空洞位置的方法，其特征在于，被清除掉的鈍化層的長度為1至100納米。

6.如權利要求1或2所述的一種精確定位電遷移測試中空洞位置的方法，其特征在于，所述的納米探針為FIB的樣品提取針。