[發(fā)明專(zhuān)利]一種在刻蝕槽中制造真空間隙的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711184301.4
• 申請(qǐng)日: 2017-11-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107978557B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邵克堅(jiān);樂(lè)陶然;曾明鑫;張彪;李元?jiǎng)P;劉歡;郭玉芳;程強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/768
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/768;H01L21/311
• 代理公司: 北京辰權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11619
• 代理人: 劉廣達(dá)

1.一種在刻蝕槽中制造真空間隙的方法，其特征是，包含以下步驟：

向所述刻蝕槽通入氫氟酸和氨氣，通過(guò)控制通入的氫氟酸和氨氣的濃度和通入速率，除去刻蝕槽中的第一氧化物層，所述氫氟酸、氨氣與第一氧化物層反應(yīng)生成氟硅酸銨和水的固液混合體，在反應(yīng)過(guò)程中，將反應(yīng)生成的固液混合體由抽取設(shè)備抽走排出；所述刻蝕槽包括位于底部的氮碳化硅層和位于氮碳化硅層之上的第一氧化物層，在氮碳化硅層和第一氧化物層中間隔分布多個(gè)導(dǎo)電溝道，所述導(dǎo)電溝道底部具有由導(dǎo)電材料形成的導(dǎo)體層，所述導(dǎo)體層之上具有銅層，所述銅層和第一氧化物層之間具有氮化物層；

在所述刻蝕槽的頂部形成直線狀的第二氧化物層，并形成真空間隙；所述第二氧化物層由已制好的直線狀氧化物直接覆蓋在刻蝕槽的頂部形成，或者由慢速沉積的薄膜沉淀工藝形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在刻蝕槽中制造真空間隙的方法，其特征是：

所述氮化物層由氮化硅制成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在刻蝕槽中制造真空間隙的方法，其特征是：

所述導(dǎo)體層由導(dǎo)電材料制成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種在刻蝕槽中制造真空間隙的方法，其特征是：

所述導(dǎo)電材料包括鎢、鈷、銅、鋁和硅化物中的一種或幾種的組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在刻蝕槽中制造真空間隙的方法，其特征是：

所述第一氧化物層為二氧化硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在刻蝕槽中制造真空間隙的方法，其特征是：

所述第二氧化物層由二氧化硅制成。

7.一種3D NAND存儲(chǔ)器，其特征在于，其包括根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述方法制造的刻蝕槽。