[發(fā)明專利]CMOS圖像傳感器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711184017.7
• 申請日: 2017-11-23
• 公開（公告）號: CN109830487A
• 公開（公告）日: 2019-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李杰;趙立新
• 申請（專利權(quán)）人: 格科微電子（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種CMOS圖像傳感器，其特征在于，包括：

設(shè)置有若干像素的像素陣列；

單個像素分別設(shè)置有至少兩個微透鏡。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，單個像素上具有同一的彩色濾光膜，同時單個像素上設(shè)置有四個微透鏡。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，單像素四微透鏡結(jié)構(gòu)中相鄰的對角像素之間微透鏡的對角間隙小于單像素單微透鏡結(jié)構(gòu)中相鄰的對角像素之間微透鏡的對角間隙。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，微透鏡之間對應(yīng)的半導(dǎo)體材料中由深溝槽隔離結(jié)構(gòu)或摻雜區(qū)域隔離。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述半導(dǎo)體材料中包括光電二極管，所述光電二極管的部分區(qū)域隔離，另一部分區(qū)域連通。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述深溝槽隔離結(jié)構(gòu)包括：

導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料耦接電壓源；

及電介質(zhì)材料，其位于所述深溝槽隔離結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上且介于所述半導(dǎo)體材料與所述導(dǎo)電材料之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述光電二極管為N型摻雜區(qū)域，所述電壓源為負電壓源。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的背照式圖像傳感器，其特征在于，所述光電二極管為P型摻雜區(qū)域，所述電壓源為正電壓源。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述導(dǎo)電材料包含鎢、銅、鋁、鈦、多晶硅中的至少一種或其任意組合。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述電介質(zhì)材料包含氧化鉿、二氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁中的至少一種或其任意組合。