[發明專利]制作半導體元件的方法

有效

• 申請號: 201711183881.5
• 申請日: 2017-11-23
• 公開（公告）號: CN109830462B
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 林俊豪;陳信宇;謝守偉
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種制作半導體元件的方法，其特征在于，該方法包含：

提供一基底，該基底上具有一第一區域以及一第二區域；

形成一第一鰭狀結構于該第一區域上以及一第二鰭狀結構于該第二區域上；

形成一第一襯墊層覆蓋于該第一鰭狀結構以及該第二鰭狀結構上；

形成一第一緩沖層于該第一襯墊層上；

去除該第一區域上的該第一緩沖層；

形成一絕緣層在該基底上并完全覆蓋該第一鰭狀結構和該第二鰭狀結構；以及

在該第一襯墊層覆蓋于該第一鰭狀結構以及該第二鰭狀結構上的同時進行一固化制作工藝使該第一緩沖層與該絕緣層融為一體，且該第一鰭狀結構的寬度不同于該第二鰭狀結構的寬度。

2.如權利要求1所述的方法，另包含：

形成該第一緩沖層于該第一襯墊層上；

形成一圖案化掩模于該第二區域上；以及

利用該圖案化掩模去除第一區域上的部分該第一緩沖層。

3.如權利要求2所述的方法，還包含進行一原子沉積制作工藝以形成該第一襯墊層。

4.如權利要求2所述的方法，還包含于形成該第一襯墊層之前形成一第二襯墊層于該第一鰭狀結構以及該第二鰭狀結構側壁。

5.如權利要求4所述的方法，還包含進行一現場蒸氣成長(in-situ steamgeneration,ISSG)制作工藝以形成該第二襯墊層。

6.如權利要求4所述的方法，其中該第一襯墊層以及該第二襯墊層包含相同材料。

7.如權利要求4所述的方法，其中該第一襯墊層以及該第二襯墊層包含氧化硅。

8.如權利要求2所述的方法，還包含：

去除該圖案化掩模；

形成一第二緩沖層于該第一區域以及該第二區域；

形成該絕緣層于該第二緩沖層上；以及

在形成該絕緣層之后進行該固化制作工藝。

9.如權利要求8所述的方法，其中該第一緩沖層以及該第二緩沖層包含相同材料。

10.如權利要求8所述的方法，其中該第一緩沖層以及該第二緩沖層包含非晶硅。