[發(fā)明專利]單模異質光纖級聯(lián)的應變陣列傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711183782.7 | 申請日： | 2017-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN109827676B | 公開（公告）日： | 2021-06-08 |
| 發(fā)明（設計）人： | 苑立波;李文超 | 申請（專利權）人： | 桂林電子科技大學 |
| 主分類號： | G01K11/32 | 分類號： | G01K11/32;G01L1/24 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 541004 廣西*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單模 光纖 級聯(lián) 應變 陣列 傳感器 | ||
1.一種單模異質光纖級聯(lián)的應變陣列傳感器，其主要特征是：該應變陣列傳感器是由兩種單模異質光纖級聯(lián)組成異質反射結構，該異質反射結構具有反射率低，透射率高的特點，故可以級聯(lián)大量此異質反射結構，形成光纖級聯(lián)的應變陣列傳感器；兩種單模異質光纖級聯(lián)組成異質反射結構具備以下特征：雙包層光纖與單模光纖熔接時在熔接處形成異質反射結構，由于二者纖芯存在折射率差，光束在此處會有部分反射、部分透射，反射率由菲涅爾反射定律計算得到，兩光纖之間的折射率差約為0.01時，異質反射結構的反射率約為3.33*10-5；異質結構的反射率在兩纖芯軸向偏移的情況下，由于單模光纖纖芯折射率和雙包層光纖的內(nèi)包層相同，所以一部分光直接透射，兩個纖芯重疊的部分光發(fā)生部分反射、部分透射，光在纖芯內(nèi)均勻分布的情況下，兩個纖芯重疊部分的光的比例取決于重疊部分面積S1與單模光纖纖芯面積S的比例，此時異質結構反射信號的比率為3.33*10-5*S1/S；單模光纖纖芯直徑大于雙包層光纖纖芯直徑的情況同纖芯軸向偏移相類似，一部分光直接透射，兩個纖芯重疊的部分光發(fā)生部分反射、部分透射，光在纖芯內(nèi)均勻分布的情況下，兩個纖芯重疊部分的光的比例取決于雙包層光纖纖芯面積S2與單模光纖纖芯面積S的比例，此時反射光的比率為3.33*10-5*S2/S；單模光纖纖芯直徑小于、等于雙包層光纖纖芯直徑的情況，反射率約為3.33*10-5。
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