[發(fā)明專(zhuān)利]防止外圍電路受損的方法及結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711183467.4
• 申請(qǐng)日: 2017-11-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107946312B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 霍宗亮;周文斌;趙治國(guó);唐兆云;熊海林
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/11573
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/11573;H01L27/11575
• 代理公司: 北京辰權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11619
• 代理人: 劉廣達(dá)

1.一種防止外圍電路受損的方法，其特征在于，包括：

提供已形成外圍電路的襯底；

在所述外圍電路上形成第一保護(hù)層，并形成覆蓋所述第一保護(hù)層及部分襯底上表面的隔離層；

去除部分隔離層，露出所述部分襯底上表面；

在剩余隔離層及露出的所述部分襯底上表面上形成第二保護(hù)層；

刻蝕所述第二保護(hù)層形成保護(hù)側(cè)墻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積法在所述外圍電路上沉積氮化硅，形成第一保護(hù)層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法沉積二氧化硅，形成覆蓋所述第一保護(hù)層及部分襯底上表面的隔離層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝去除部分隔離層，形成隔離層傾斜的側(cè)壁，并露出所述部分襯底上表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法或者爐管化學(xué)氣相沉積法沉積氮化硅，在剩余隔離層及露出的所述部分襯底上表面上形成第二保護(hù)層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二保護(hù)層的厚度介于400埃至600埃之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝去除覆蓋剩余隔離層的上表面及部分覆蓋襯底上表面的第二保護(hù)層，形成保護(hù)側(cè)墻。

8.一種防止外圍電路受損的結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

已形成外圍電路的襯底；

形成于所述外圍電路上的第一保護(hù)層，形成于所述第一保護(hù)層上的隔離層；

形成于所述隔離層側(cè)壁上的保護(hù)側(cè)墻，所述保護(hù)側(cè)墻與所述第一保護(hù)層相連。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述隔離層含有傾斜的側(cè)壁；

所述保護(hù)側(cè)墻具體為：形成于所述隔離層傾斜側(cè)壁上的氮化硅。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述保護(hù)側(cè)墻的厚度介于400埃至600埃之間。