[發(fā)明專利]一種高電阻溫度系數(shù)氧化鎳鉻熱敏薄膜制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711180843.4 | 申請日： | 2017-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN108103459A | 公開（公告）日： | 2018-06-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王彬;李寧;宿杰;遲宗濤;蔡恩林;劉敬權(quán) | 申請（專利權(quán)）人： | 青島大學(xué) |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 青島合創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 37264 | 代理人： | 莊樹杰 |
| 地址： | 266071 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氧化鎳鉻 制備 高電阻溫度系數(shù) 半導(dǎo)體薄膜 熱敏薄膜 光開關(guān) 薄膜 非致冷紅外探測器 電阻溫度系數(shù) 單晶硅 磁控濺射 合金靶材 紅外探測 金屬鎳鉻 智能玻璃 氮化硅 調(diào)制器 后退火 緩沖層 襯底 可用 沉積 應(yīng)用 兼容 | ||
1.一種高電阻溫度系數(shù)氧化鎳鉻薄膜制備方法，其特征在于，包括：
步驟1：單晶硅襯底表面去污清洗；
步驟2：在單晶硅表面沉積或濺射一層絕緣層；
步驟3：上述材料裝入磁控濺射裝置真空室內(nèi)，在絕緣層上濺射一層氧化鎳鉻薄膜；
步驟4：對沉積的薄膜樣品進行后退火處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電阻溫度系數(shù)氧化鎳鉻薄膜的制備方法，其特征在于，步驟2中所述絕緣層為氮化硅(Si
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高電阻溫度系數(shù)氧化鎳鉻薄膜的制備方法，其特征在于，步驟2中所述在單晶硅表面沉積或濺射氮化硅薄膜，無特定限制厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電阻溫度系數(shù)氧化鎳鉻薄膜的制備方法，其特征在于，步驟3中所述在氮化硅(Si
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電阻溫度系數(shù)氧化鎳鉻薄膜制備方法，其特征在于，步驟4中所述對沉積的薄膜樣品進行退火處理，退火工藝條件為：退火為氬氣氛圍，退火溫度300℃，退火時間60min，退火結(jié)束后在氬氣氛圍下冷卻至室溫。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
