[發(fā)明專利]以超臨界流體處理電子組件的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711180660.2
• 申請(qǐng)日: 2017-11-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108305828A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張鼎張;張冠張;施志承;潘致宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中山大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 北京匯智英財(cái)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11301
• 代理人: 何暉

本發(fā)明涉及一種以超臨界流體處理電子組件的方法，用于解決現(xiàn)有電子組件的效率問(wèn)題，該以超臨界流體處理電子組件的方法的步驟包括：于一個(gè)腔體內(nèi)通入超臨界流體，該超臨界流體摻雜氫同位素的化合物、有機(jī)金屬化合物或鹵素、氧、硫、硒、磷、砷、其化合物，于該超臨界流體維持超臨界態(tài)的溫度范圍及壓力范圍下，使該超臨界流體對(duì)該腔體內(nèi)的至少一個(gè)電子組件進(jìn)行改質(zhì)反應(yīng)。借此，可確實(shí)解決上述問(wèn)題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種電子組件處理方法；特別涉及一種以超臨界流體處理電子組件的方法。

背景技術(shù)

由于半導(dǎo)體技術(shù)日益精進(jìn)，逐漸發(fā)展出可實(shí)現(xiàn)不同功能的電子組件，用以組成不同功能的電路，以便用于不同電子裝置。

上述電子組件制造過(guò)程中，可能會(huì)反復(fù)經(jīng)歷材料成長(zhǎng)、微影及蝕刻等制程，但是組件材料成長(zhǎng)過(guò)程不可避免地會(huì)產(chǎn)生缺陷，導(dǎo)致組件性能不佳。為了克服此問(wèn)題，現(xiàn)有的組件性能改善方式通常從組件成長(zhǎng)過(guò)程著手，通過(guò)不斷改善上述制程的成功率，期能改善組件成長(zhǎng)后的性能。

然而，盡管電子組件制程不斷改良，仍無(wú)法保證電子組件成長(zhǎng)過(guò)程完美無(wú)缺，故電子組件的性能改善幅度仍有限。并且，上述電子組件性能改良方式會(huì)受限于制程中的溫度、壓力等必要條件，導(dǎo)致效果不甚理想。

有鑒于此，上述現(xiàn)有技術(shù)在實(shí)際使用時(shí)確有不便之處，亟需進(jìn)一步改良，以提升其實(shí)用性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種以超臨界流體處理電子組件的方法，無(wú)須改變組件原有制程，即可加工處理電子組件，以改善電子組件的性能。

本發(fā)明提供一種以超臨界流體處理電子組件的方法，其步驟可包括：于一個(gè)腔體內(nèi)通入超臨界流體，該超臨界流體摻雜氫同位素的化合物，于該超臨界流體維持超臨界態(tài)的溫度范圍及壓力范圍下，使該超臨界流體對(duì)該腔體內(nèi)的至少一個(gè)電子組件進(jìn)行改質(zhì)反應(yīng)。

所述氫同位素可為氕或氘；所述氫同位素的化合物可選自LiH、NaH、KH、CaH₂、MgH₂、BeH₂、PH₃、B_nH_m、C_xH_y、HF、AsH₃、NH₃、AlH₃、H₂S、H₂Se、HCl、HBr、HI、NH₄Cl及CO(NH₂)₂所組成的群組。

本發(fā)明另外提供一種以超臨界流體處理電子組件的方法，其步驟可包括：于一個(gè)腔體內(nèi)通入超臨界流體，該超臨界流體摻雜有機(jī)金屬化合物，于該超臨界流體維持超臨界態(tài)的溫度范圍及壓力范圍下，使該超臨界流體對(duì)該腔體內(nèi)的至少一個(gè)電子組件進(jìn)行改質(zhì)反應(yīng)。

本發(fā)明另外提供一種以超臨界流體處理電子組件的方法，其步驟可包括：于一個(gè)腔體內(nèi)通入超臨界流體，該超臨界流體摻雜鹵素、氧、硫、硒、磷、砷或前述元素的化合物，于該超臨界流體維持超臨界態(tài)的溫度范圍及壓力范圍下，使該超臨界流體對(duì)該腔體內(nèi)的至少一個(gè)電子組件進(jìn)行改質(zhì)反應(yīng)。

所述鹵素可為氟、氯、溴或碘。

所述腔體內(nèi)可引入電磁波，該電磁波與該超臨界流體可共同對(duì)該腔體內(nèi)的至少一個(gè)電子組件進(jìn)行改質(zhì)反應(yīng)；所述電子組件可為一個(gè)電子組件成品或一個(gè)電子組件半成品；所述電子組件可為一個(gè)發(fā)光組件、一個(gè)光伏組件、一個(gè)儲(chǔ)能組件、一個(gè)感測(cè)組件、一個(gè)被動(dòng)組件、一個(gè)微機(jī)電組件、一個(gè)內(nèi)存組件、一個(gè)薄膜晶體管組件、一個(gè)高功率電子組件或一個(gè)含有機(jī)化合物的電子組件；所述溫度范圍可為77至1000K；所述壓力范圍可為3至1000atm。

上述以超臨界流體處理電子組件的方法，可于上述電子組件的缺陷處進(jìn)行超臨界處理的改質(zhì)過(guò)程，進(jìn)而降低接口及內(nèi)部缺陷，降低因缺陷造成的性能損耗（如降低耗電量等），可以達(dá)成提升組件工作效率等功效。