[發明專利]一種壓力傳感器在審
| 申請號: | 201711180547.4 | 申請日: | 2017-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN107966225A | 公開(公告)日: | 2018-04-27 |
| 發明(設計)人: | 馬勇 | 申請(專利權)人: | 蚌埠市勇創機械電子有限公司 |
| 主分類號: | G01L1/20 | 分類號: | G01L1/20;G01L9/00 |
| 代理公司: | 合肥市長遠專利代理事務所(普通合伙)34119 | 代理人: | 段曉微,葉美琴 |
| 地址: | 233000 安徽省蚌埠*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 壓力傳感器 | ||
技術領域
本發明涉及壓力傳感器技術領域,尤其涉及一種壓力傳感器。
背景技術
壓敏薄膜作為壓力傳感器的核心組件,一般由膜層和壓變電阻層組成。壓敏薄膜的膜層朝向施壓方向,壓變電阻層遠離膜層的一側預留有間隙或者空腔,當壓敏薄膜受壓時朝向間隙或者空腔凹陷,從而壓變電阻層形變導致電阻絲受壓阻值發生變化。
但是,由于上膜層的形變系數限值,電阻絲承受壓力有限,阻值變化范圍有限,從而,很難提高測量精度。
發明內容
基于背景技術存在的技術問題,本發明提出了一種壓力傳感器。
本發明提出的一種壓力傳感器,所采用的壓敏薄膜包括上膜層、下膜層和壓變電阻層,壓變電阻層壓合在上膜層和下膜層之間,上膜層的張力大于下膜層的彈性系數。
優選地,壓變電阻層上壓變電阻絲螺旋盤繞或者波浪形排列。
本發明提供的壓力傳感器工作時,壓敏薄膜受壓,從而由上膜層至下膜層方向發生凹陷形變。由于下膜層的彈性系數小于上膜層的彈性系數,故而,在壓敏薄膜受壓過程中,下膜層產生的抗力大于上膜層產生的抗力,故而,下膜層對壓變電阻層形成抵抗力,導致壓變電阻層受到上膜層形變力和下膜層抵抗力的雙重擠壓,從而放大壓變電阻層的阻值變化量隨著壓力的變化系數,通過放大阻值變化,有利于提高壓力測量精度。且增加下膜層,為壓變電阻層提供了雙向保護,有利于報這個壓敏薄膜的安全性能。
附圖說明
圖1為本發明提出的一種壓力傳感器側視圖;
圖2為本發明一個實施例提出的一種壓力傳感器爆炸圖;
圖3為本發明另一個實施例提出的一種壓力傳感器爆炸圖。
具體實施方式
參照圖1、圖2、圖3,本發明提出的一種壓力傳感器,所采用的壓敏薄膜包括上膜層1、下膜層2和壓變電阻層3,壓變電阻層3壓合在上膜層1和下膜層2之間,上膜層1的張力大于下膜層2的彈性系數。
本實施方式提供的壓敏薄膜,在壓力傳感器工作時,壓敏薄膜受壓,從而由上膜層1至下膜層2方向發生凹陷形變。由于下膜層2的彈性系數小于上膜層1的彈性系數,故而,在壓敏薄膜受壓過程中,下膜層2產生的抗力大于上膜層1產生的抗力,故而,下膜層2對壓變電阻層3形成抵抗力,導致壓變電阻層3受到上膜層1形變力和下膜層2抵抗力的雙重擠壓,從而放大壓變電阻層3的阻值變化量隨著壓力的變化系數,通過放大阻值變化,有利于提高壓力測量精度。且增加下膜層2,為壓變電阻層3提供了雙向保護,有利于報這個壓敏薄膜的安全性能。
本實施方式中,壓變電阻層3上壓變電阻絲如圖2所示螺旋盤繞或者如圖3所示波浪形排列。
以上所述,僅為本發明較佳的具體實施方式,但本發明的保護范圍并不局限于此,任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術范圍內,根據本發明的技術方案及其發明構思加以等同替換或改變,都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蚌埠市勇創機械電子有限公司,未經蚌埠市勇創機械電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711180547.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種壓力傳感器
- 下一篇:一種雙標校正型壓力傳感器





