[發明專利]溴化鉀晶片的拋光方法

在審

• 申請號: 201711180469.8
• 申請日: 2017-11-23
• 公開（公告）號: CN107916455A
• 公開（公告）日: 2018-04-17
• 發明（設計）人: 黃璠
• 申請（專利權）人: 銅陵市一棵松農業科技有限公司
• 主分類號: C30B33/10
• 分類號: C30B33/10
• 代理公司: 銅陵市天成專利事務所34105
• 代理人: 范智強

技術領域

本發明涉及光譜測量輔助領域，尤其涉及紅外光譜測試有機液體紅外光譜作為窗片材料使用的溴化鉀晶片的拋光方法。

背景技術

我們這里所說的溴化鉀是指具有較低紅外吸收系數的單晶。在ＫＢｒ原料中，適量添加ＫＢｒ３，可利用ＫＢｒ３在熱分解過程中產生的游離溴去除ＫＢｒ原料中的含氧基團，純化原料。用提拉法在大氣環境中也能生長出低吸收系數的大尺寸優質ＫＢｒ單晶。采用提拉法生長KBr單晶 ,設計合理的溫場 ,探索最佳的生長工藝條件 ,可以生長出了具有高透過、低吸收和光學均勻性高的Φ1 2 0× 1 2 0mm大尺寸的單晶 ,同時還應該知道影響其光學性能的各種因素 ,以及提高透過、消除吸收峰的各種方法。其紅外吸收系數在１×１０ˉ?ｃｍˉ1數量級。最高級ＫＢｒ單晶透過波段寬(03～34ｕｍ),本征吸收系數β106μｍ≈20×10-7/ｃｍˉ1比用普通方法生長的ＫＢｒ單晶的吸收系數降低２個數量級。這些都必須通過高壓釜經過連續保溫才能生長出合格的溴化鉀單晶。

溴化鉀是最常用的窗片材料。溴化鉀晶片硬度小，易加工，價格便宜。隨著溴化鉀晶片使用次數的增多，晶片表面劃痕越來越多。溴化鉀晶片表面越容易被有機物污染。如果測試的有機液體含有少量的水，水會溶解晶片表面的溴化鉀，使晶片表面下凹，導致以后測試時液膜中出現氣泡或液膜厚度不易掌握。當出現以上情況時，應將溴化鉀晶片拋光。

現有的拋光方法有用拋光機拋光，或用拋光附件拋光。但無論哪種方法都無法有效拋光晶片表面，拋光精度差，導致紅外波段的透過率較低，且對溴化鉀晶片表面損傷較大。

發明內容

本發明要解決的技術問題是現有的溴化鉀晶片拋光方法無法實現有效拋光，影響紅外波段的透過率，且會損傷晶片表面，為此提供一種溴化鉀晶片的拋光方法。

本發明的技術方案是：溴化鉀晶片的拋光方法，它包括以下步驟：（1）、將溴化鉀晶片置于密閉錐形容器內，將密閉錐形容器抽真空；（2）、將絕對酒精加熱至50-60℃后放入密閉容器內，對密閉容器內充入干燥氮氣，使其充滿密閉容器；（3）、將密閉錐形容器放入離心機內進行離心10-20min，離心機轉速為200-250r/min；（4）、打開密閉錐形容器，用滴管向密閉錐形容器內的溴化鉀晶片表面滴加乙醚，再次封閉密閉錐形容器并放入離心機內進行離心6-10min，離心機轉速為300-350r/min；（5）、取出密閉錐形容器內的溴化鉀晶片，用干凈絨布擦干溴化鉀晶片表面。

本發明的有益效果是將溴化鉀晶片置于真空環境中，利用加熱后的絕對酒精的揮發性在氮氣的壓迫下附著在溴化鉀晶片表面，在離心機的高速旋轉下霧化的酒精均勻附著在溴化鉀晶片表面，逐漸溶解氣表面的有機物，再通入乙醚，在離心機的高速旋轉下進行深程度的清潔，使其表面恢復光潔，最后取出擦干的溴化鉀晶片即去除了表面的有機物和劃痕，又最大程度的降低了被絕對酒精和乙醚溶解的量，延長溴化鉀的使用壽命。

具體實施方式

下面結合實施例對本發明做進一步說明。

實施例1：溴化鉀晶片的拋光方法，它包括以下步驟：（1）、將溴化鉀晶片置于密閉錐形容器內，將密閉錐形容器抽真空；（2）、將絕對酒精加熱至50℃后放入密閉容器內，對密閉容器內充入干燥氮氣，使其充滿密閉容器；（3）、將密閉錐形容器放入離心機內進行離心10min，離心機轉速為200r/min；（4）、打開密閉錐形容器，用滴管向密閉錐形容器內的溴化鉀晶片表面滴加乙醚，再次封閉密閉錐形容器并放入離心機內進行離心6min，離心機轉速為300r/min；（5）、取出密閉錐形容器內的溴化鉀晶片，用干凈絨布擦干溴化鉀晶片表面。

實施例2：溴化鉀晶片的拋光方法，它包括以下步驟：（1）、將溴化鉀晶片置于密閉錐形容器內，將密閉錐形容器抽真空；（2）、將絕對酒精加熱至55℃后放入密閉容器內，對密閉容器內充入干燥氮氣，使其充滿密閉容器；（3）、將密閉錐形容器放入離心機內進行離心15min，離心機轉速為225r/min；（4）、打開密閉錐形容器，用滴管向密閉錐形容器內的溴化鉀晶片表面滴加乙醚，再次封閉密閉錐形容器并放入離心機內進行離心8min，離心機轉速為325r/min；（5）、取出密閉錐形容器內的溴化鉀晶片，用干凈絨布擦干溴化鉀晶片表面。