[發明專利]一種硅片晶圓激光切割工藝

在審

• 申請號: 201711180152.4
• 申請日: 2017-11-23
• 公開（公告）號: CN107731672A
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發明（設計）人: 徐志華;葛建秋;張彥
• 申請（專利權）人: 江陰蘇陽電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/268
• 分類號: H01L21/268;B23K26/38;B23K26/402
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及芯片劃片行業，具體涉及一種硅片晶圓激光切割工藝。

背景技術

隨著科技發展，電子產業突飛猛進，各種集成、控制電路需求急劇增長，對芯片封裝的需求也增長迅猛。

芯片封裝是指，將精密的半導體集成電路芯片安裝到框架上，然后利用引線將芯片與框架引腳相連接，最后用環氧樹脂將半導體集成電路芯片固封起來，外界通過引腳與內部的芯片進行信號傳輸。封裝主要是對精密的半導體集成電路芯片進行固封，使半導體集成電路芯片在發揮作用的同時，不受外界濕度、灰塵的影響，同時提供良好的抗機械振動或沖擊保護，提高半導體集成電路芯片的適用性。同時封裝在金屬框架上，增加了散熱面積，提高了芯片的運行可靠性。

硅片在進行切割過程中，需要確保切割的精度和切刀走刀的準確性。

現需要一種硅片晶圓激光切割工藝，以期可以解決上述技術問題。

發明內容

本發明的目的是提供一種硅片晶圓激光切割工藝，以彌補現有測量過程中的不足。

為了達到上述目的，本發明提供了一種硅片晶圓激光切割工藝，步驟如下：

（1）準備工作：穿好工作衣`工作鞋，帶好工作帽和工作手套，清掃工作場地，整理劃片設備以及劃片工具；

（2）對來料進行檢驗：檢驗內容包括，芯片無碎裂現象；

（3）劃片操作：具體步驟依次包括，

A按“激光劃片機操作規程”開啟激光劃片機,戴上激光防護眼鏡；

B將待切割芯片背面向上放在劃片機平臺上，緊貼著基準靠山；

C啟動切割程序，使激光劃片機處于工作狀態，調節激光器上微動旋鈕，使激光的焦點上下移動；

D調節切割機電流旋鈕調節電流強度，使切割的硅片易于用手掰開；

E調節好以后即可以進行劃片；

F對劃好的芯片進行逐片自檢，使劃出的芯片基本符合尺寸要求。

優選地，在步驟F中，誤差不超過0.2毫米。

優選地，在步驟中C中，當激光打在芯片上散發的火花絕大部分向上竄并聽到清脆的切割聲音時即焦距調好。

優選地，在步驟中，在步驟2中，每片不超過2個大于1mm的缺角或者缺塊，每片細柵斷線不超過1根，斷線長度不超過1毫米。

本發明的一種硅片晶圓激光切割工藝，切割過程確保走刀位置的準確性，和切割的精度，操作簡單，切割速度快，誤差極小。

具體實施方式

本發明的目的是提供一種硅片晶圓激光切割工藝，以彌補現有測量過程中的不足。

本發明的目的是提供一種硅片晶圓激光切割工藝，以彌補現有測量過程中的不足。

為了達到上述目的，本發明提供了一種硅片晶圓激光切割工藝，步驟如下：

（1）準備工作：穿好工作衣`工作鞋，帶好工作帽和工作手套，清掃工作場地，整理劃片設備以及劃片工具；

（2）對來料進行檢驗：檢驗內容包括，芯片無碎裂現象；

（3）劃片操作：具體步驟依次包括，

A按“激光劃片機操作規程”開啟激光劃片機,戴上激光防護眼鏡；

B將待切割芯片背面向上放在劃片機平臺上，緊貼著基準靠山；

C啟動切割程序，使激光劃片機處于工作狀態，調節激光器上微動旋鈕，使激光的焦點上下移動；

D調節切割機電流旋鈕調節電流強度，使切割的硅片易于用手掰開；

E調節好以后即可以進行劃片；

F對劃好的芯片進行逐片自檢，使劃出的芯片基本符合尺寸要求。

其中，在步驟F中，誤差不超過0.2毫米。

其中，在步驟中C中，當激光打在芯片上散發的火花絕大部分向上竄并聽到清脆的切割聲音時即焦距調好。

其中，在步驟中，在步驟2中，每片不超過2個大于1mm的缺角或者缺塊，每片細柵斷線不超過1根，斷線長度不超過1毫米。

以上顯示和描述了本發明的基本原理、主要特征及優點。本行業的技術人員應該了解，本發明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發明的原理，在不脫離本發明精神和范圍的前提下，本發明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本發明范圍內。本發明要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。