[發(fā)明專(zhuān)利]去除光刻膠顯影后殘留缺陷的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711178203.X
• 申請(qǐng)日: 2017-11-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107993924B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳杰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/027
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/027;H01L21/67
• 代理公司: 31211 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 郭四華<國(guó)際申請(qǐng)>=<國(guó)際公布>=<進(jìn)入

1.一種去除光刻膠顯影后殘留缺陷的方法，其特征在于，包括如下：

步驟一、在晶圓上形成光刻膠，對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影形成光刻膠圖形，通過(guò)所述曝光對(duì)所述光刻膠圖形的尺寸進(jìn)行預(yù)先定義，在被顯影的區(qū)域存在光刻膠殘留；

步驟二、進(jìn)行光刻膠預(yù)處理工藝，通過(guò)所述光刻膠預(yù)處理工藝完全去除被顯影的區(qū)域存在的光刻膠殘留，同時(shí)所述光刻膠預(yù)處理工藝使所述光刻膠圖形的尺寸縮小，通過(guò)步驟一中預(yù)先定義的所述光刻膠圖形的尺寸減去步驟二中使所述光刻膠圖形的尺寸縮小的量得到所述光刻膠圖形的最終尺寸并使所述光刻膠圖形的最終尺寸達(dá)到目標(biāo)尺寸；

所述光刻膠預(yù)處理工藝的溫度越低，去膠速率越慢，越有利于對(duì)所述光刻膠預(yù)處理工藝使所述光刻膠圖形的尺寸的縮小量進(jìn)行控制，在滿(mǎn)足將被顯影的區(qū)域存在的光刻膠殘留去除的前提下將所述光刻膠圖形的尺寸的縮小量調(diào)節(jié)到使所述光刻膠圖形的最終尺寸達(dá)到目標(biāo)尺寸。

2.如權(quán)利要求1所述的去除光刻膠顯影后殘留缺陷的方法，其特征在于：所述晶圓為半導(dǎo)體襯底形成的晶圓。

3.如權(quán)利要求2所述的去除光刻膠顯影后殘留缺陷的方法，其特征在于：在所述晶圓表面形成有介質(zhì)層，所述光刻膠圖形用于定義所述介質(zhì)層的圖形結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求3所述的去除光刻膠顯影后殘留缺陷的方法，其特征在于：在步驟二完成之后以所述光刻膠圖形為掩模對(duì)所述介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，通過(guò)步驟二中去除被顯影的區(qū)域存在的光刻膠殘留消除在所述介質(zhì)層的被刻蝕區(qū)域形成殘留缺陷。

5.如權(quán)利要求4所述的去除光刻膠顯影后殘留缺陷的方法，其特征在于：在所述介質(zhì)層刻蝕完成之后，通過(guò)去膠工藝去除所述光刻膠圖形。

6.如權(quán)利要求5所述的去除光刻膠顯影后殘留缺陷的方法，其特征在于：步驟二中的所述光刻膠預(yù)處理工藝的溫度低于所述去膠工藝的溫度。

7.如權(quán)利要求6所述的去除光刻膠顯影后殘留缺陷的方法，其特征在于：步驟二中的所述光刻膠預(yù)處理工藝在所述去膠工藝的設(shè)備中進(jìn)行。

8.如權(quán)利要求7所述的去除光刻膠顯影后殘留缺陷的方法，其特征在于：所述去膠工藝的設(shè)備中包括機(jī)臺(tái)加熱部件，在所述去膠工藝中所述晶圓直接放置在所述機(jī)臺(tái)加熱部件上。

9.如權(quán)利要求8所述的去除光刻膠顯影后殘留缺陷的方法，其特征在于：步驟二中的所述光刻膠預(yù)處理工藝中，通過(guò)頂針將所述晶圓頂起使所述晶圓的底面和所述機(jī)臺(tái)加熱部件相隔距離，通過(guò)調(diào)節(jié)所述晶圓的底面和所述機(jī)臺(tái)加熱部件的距離調(diào)節(jié)所述光刻膠預(yù)處理工藝的溫度。

10.如權(quán)利要求8所述的去除光刻膠顯影后殘留缺陷的方法，其特征在于：步驟二中的所述光刻膠預(yù)處理工藝中，所述晶圓直接放置在所述機(jī)臺(tái)加熱部件上，通過(guò)調(diào)節(jié)所述機(jī)臺(tái)加熱部件的加熱參數(shù)調(diào)節(jié)所述光刻膠預(yù)處理工藝的溫度。

11.如權(quán)利要求1所述的去除光刻膠顯影后殘留缺陷的方法，其特征在于：

步驟一中對(duì)所述光刻膠圖形進(jìn)行預(yù)先定義的尺寸要求保證在后續(xù)步驟二中將被顯影的區(qū)域存在的光刻膠殘留去除時(shí)所述光刻膠圖形的剩余尺寸大于等于目標(biāo)尺寸，當(dāng)所述光刻膠圖形的剩余尺寸大于目標(biāo)尺寸時(shí)增加所述光刻膠預(yù)處理工藝的時(shí)間使所述光刻膠圖形的最終尺寸等于目標(biāo)尺寸。

12.如權(quán)利要求1所述的去除光刻膠顯影后殘留缺陷的方法，其特征在于：預(yù)先制作所述光刻膠預(yù)處理工藝在對(duì)應(yīng)的溫度下的去膠速率曲線，步驟二中根據(jù)預(yù)先得到的去膠速率曲線進(jìn)行對(duì)所述光刻膠圖形的尺寸的減少量的控制。

13.如權(quán)利要求2所述的去除光刻膠顯影后殘留缺陷的方法，其特征在于：所述半導(dǎo)體襯底為硅襯底。

14.如權(quán)利要求3所述的去除光刻膠顯影后殘留缺陷的方法，其特征在于：所述介質(zhì)層包括：氧化層或氮化層。