[發(fā)明專利]一種雙柵極鰭式場效晶體管形成方法及結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711177128.5
• 申請日: 2017-11-22
• 公開（公告）號: CN107731927B
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鮑宇
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/8234
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 嚴(yán)羅一

1.一種雙柵極鰭式場效晶體管的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1 提供一半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成一埋氧層；

S2 在所述埋氧層上形成第一半導(dǎo)體層，并對所述第一半導(dǎo)體層圖形化形成半導(dǎo)體鰭片層；

S3 在所述半導(dǎo)體鰭片層的頂面及兩側(cè)面外延生長形成第二半導(dǎo)體層；

S4 在所述第二半導(dǎo)體層及埋氧層上表面形成第一柵氧化層；

S5 在所述第一柵氧化層表面形成第一柵極層；

S6 在所述第一柵極層表面形成一氧化層并平整化所述氧化層使所述第一柵極層頂面露出；

S7 對所述第一柵極層進行回刻并回刻停止于所述半導(dǎo)體鰭片層內(nèi)；

S8 去除所述半導(dǎo)體鰭片層以形成第一復(fù)合結(jié)構(gòu)；

S9 在所述第一復(fù)合結(jié)構(gòu)表面形成第二柵氧化層；

S10 在所述第二柵氧化層表面形成第二柵極層；

S11 繼續(xù)柵極和源漏區(qū)的制備工藝，以形成最終的雙柵極鰭式場效晶體管；

所述第二半導(dǎo)體層的材質(zhì)為SiGe；

所述第一柵極層材質(zhì)為多晶硅；

所述第二柵極層材質(zhì)為金屬；

所述第一柵極層和第二柵極層的材質(zhì)不同；

所述第一柵極層和第二柵極層的厚度不同；

所述外延生長的第二半導(dǎo)體層厚度為2—30nm；

一種采用所述雙柵極鰭式場效晶體管的形成方法所形成的雙柵極鰭式場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，包括：

一埋氧層；

兩個所述第二半導(dǎo)體層，條狀水平對稱設(shè)置于所述埋氧層上；

兩個所述第一柵氧化層，L型對稱設(shè)置于所述第二半導(dǎo)體層的外側(cè)面；

兩個所述第一柵極層，L型對稱設(shè)置于所述第一柵氧化層的外側(cè)面；

兩個所述氧化層，對稱設(shè)置于所述第一柵極層的外側(cè)面；

一第二柵氧化層，設(shè)置于所述氧化層、第一柵極層、第一柵氧化層、第二半導(dǎo)體層和露出的埋氧層上表面；

一第二柵極層，設(shè)置于所述第二柵氧化層上；

所述第一柵極層為控制柵，所述第二柵極層為驅(qū)動?xùn)拧?/p>