[發明專利]存儲器元件

在審

• 申請號: 201711175581.2
• 申請日: 2017-11-22
• 公開（公告）號: CN108172258A
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發明（設計）人: 呂士濂;李坤錫;沙曼·阿德汗
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C29/12
• 分類號: G11C29/12
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

本發明實施例提供一種存儲器元件。存儲器元件包括一存儲器陣列以及一互相漢明距離分析器。存儲器陣列包括多個區段，其中每一區段包括多個位元，以及多個區段的位元的數量是相同的。互相漢明差異分析器得到操作在不同操作條件下的多個區段的內容，以得到內容的多個互相漢明差異，并從多個區段的互相漢明差異中提供一最大互相漢明差異以及一最小互相漢明差異。互相漢明差異表示對應于一第一操作條件的多個區段的一區段的內容與對應于不同于第一操作條件的一第二操作條件的多個區段的另一區段的內容之間的不相似位元的數量。本公開提供的存儲器元件可提高存儲效率以及用來存儲在不同條件下來自所有晶粒或芯片的位元的存儲空間。

技術領域

本公開有關于一種存儲器元件，且特別有關于一種具有互相漢明差異分析器的存儲器元件。

背景技術

盡管集成電路(IC)是批量制造的，但是由于物理性隨機，即使使用相同的制造工藝和相同材料，每一集成電路都是獨特的。可獲取天生的差異并作為其獨特的識別，例如DNA或人的指紋。近來，安全研究人員提出了不同的方法利用物理性隨機來建立物理性不可復制功能(physically unclonable function，PUF)。一種類型的PUF是建立在SRAM存儲器陣列內。使用SRAM來建立PUF的方法是基于SRAM中存儲單元的上電狀態(power-up state)。

發明內容

本公開提供一種存儲器元件。存儲器元件包括一存儲器陣列以及一互相漢明距離分析器。存儲器陣列包括多個區段，其中每一區段包括多個位元，以及多個區段的位元的數量是相同的。互相漢明差異分析器得到操作在不同操作條件下的多個區段的內容，以得到內容的多個互相漢明差異，并從多個區段的互相漢明差異中提供一最大互相漢明差異以及一最小互相漢明差異。互相漢明差異表示對應于一第一操作條件的多個區段的一區段的內容與對應于不同于第一操作條件的一第二操作條件的多個區段的另一區段的內容之間的不相似位元的數量。

附圖說明

圖1是顯示根據本發明一些實施例所述的存儲器元件；

圖2是顯示根據本發明一些實施例所述的圖1的互相漢明距離分析器的示范圖；

圖3是顯示根據本發明一些實施例所述的用以測量圖1的存儲器陣列的互相漢明距離的方法；

圖4A是顯示存儲器陣列在第一操作條件Cond_1下的PUF的示范響應；

圖4B是顯示存儲器陣列在第二操作條件Cond_2下的PUF的示范響應；

圖4C是顯示存儲器陣列在第三操作條件Cond_3下的PUF的示范響應；

圖5A是顯示用以說明圖4A的區段410B至區段410D與圖4B的區段420A之間內容的互相漢明距離的表格；

圖5B是顯示用以說明圖4A的區段410A、區段410C和區段410D與圖4B的區段420B之間的內容的互相漢明距離的表格；

圖5C是顯示用以說明圖4A的區段410A、區段410B和區段410D與圖4B的區段420C之間的內容的互相漢明距離的表格；

圖5D是顯示用以說明圖4A的區段410A至區段410C與圖4B的區段420D之間的內容的互相漢明距離的表格；

圖6A是顯示用以說明圖4A的區段410B至區段410D與圖4C的區段430A之間內容的互相漢明距離的表格；

圖6B是顯示用以說明圖4A的區段410A、區段410C與區段410D與圖4C的區段430B之間內容的互相漢明距離的表格；

圖6C是顯示用以說明圖4A的區段410A、區段410B與區段410D與圖4C的區段430C之間的內容的互相漢明距離的表格；