[發明專利]半導體存儲器件、標志生成電路以及輸出半導體器件中的數據的方法

有效

• 申請號: 201711173003.5
• 申請日: 2017-11-22
• 公開（公告）號: CN108630255B
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 李釉鐘
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C7/12
• 分類號: G11C7/12;G11C7/18
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 李琳;王建國

1.一種半導體存儲器件，其包括：

存儲器電路，其包括耦接在多個字線和多個位線之間的多個存儲器單元，存儲器電路被配置為經由全局輸入和輸出(輸入/輸出)線輸出來自耦接至位線的存儲器單元的數據；

標志生成電路，其被配置為基于在讀取操作中經由全局輸入/輸出線提供的、用于每個位線的存儲器單元中的數據之中具有特定邏輯電平的數據的數目來生成標志信號，標志信號包括復制數據標志信號和數據總線反相標志信號之中的至少一個；以及

輸出電路，其被配置為基于復制數據標志信號和數據總線反相標志信號之中的至少一個來輸出經由全局輸入/輸出線提供的、存儲器單元中的數據。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，還包括：

模式寄存器，其被配置為提供復制數據輸出使能信號和數據總線反相使能信號，

其中，標志生成電路被配置為基于正在被使能的復制數據輸出使能信號和正在被禁止的數據總線反相使能信號，而將用于每個位線的標志信號之中的至少一位生成為復制數據標志信號。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，還包括：

模式寄存器，其被配置為提供復制數據輸出使能信號和數據總線反相使能信號，

其中，標志生成電路被配置為基于正在被禁止的復制數據輸出使能信號和正在被使能的數據總線反相使能信號，而將用于每個位線的標志信號輸出為用于每個位線的數據總線反相標志信號。

4.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，還包括：

模式寄存器，其被配置為提供復制數據輸出使能信號和數據總線反相使能信號，

其中，標志生成電路被配置為基于正在被使能的復制數據輸出使能信號和正在被使能的數據總線反相使能信號，而將用于每個位線的標志信號之中的至少一位輸出為復制數據標志信號，并且將用于每個位線的標志信號的其余位輸出為用于每個位線的數據總線反相標志信號。

5.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，標志生成電路包括：

初步標志生成電路，其被配置為響應于基于復制數據輸出使能信號和數據總線反相使能信號而生成的標志生成使能信號，通過從位線接收存儲器單元中的數據，基于具有特定邏輯電平的數據的數目來生成初步標志信號；以及

位線標志生成電路，其被配置為基于復制數據輸出使能信號和數據總線反相使能信號，從用于每個位線的初步標志信號生成用于每個位線的標志信號。

6.根據權利要求5所述的半導體存儲器件，其中，初步標志生成電路包括耦接至位線的多個初步信號生成電路，并且每個初步信號生成電路被配置為將耦接至位線的存儲器單元中的數據相加，以生成初步數據總線反相標志信號和初步復制數據標志信號。

7.根據權利要求5所述的半導體存儲器件，其中，初步標志生成電路包括耦接至位線的多個初步信號生成電路，每個初步信號生成電路包括：

至少一個第一運算電路，其被配置為響應于標志生成使能信號，而接收來自耦接至位線的存儲器單元的一對數據并將它們相加；

至少一個第二運算電路，其被配置為接收來自一對第一運算電路的輸出信號并將它們相加；以及

確定電路，其被配置為從第二運算電路的輸出信號中生成初步數據總線反相標志信號和初步復制數據標志信號。

8.根據權利要求5所述的半導體存儲器件，其中，初步標志信號包括關于位線接收的初步數據總線反相標志信號和關于位線接收的初步復制數據標志信號，

位線標志生成電路包括：

第一位線標志生成電路，其被配置為基于關于位線接收的初步數據總線反相標志信號和關于位線接收的初步復制數據標志信號之中的至少一個來生成第一標志信號；以及

第二位線標志生成電路，其被配置為基于其余的關于位線接收的初步數據總線反相標志信號來生成第二標志信號。