[發明專利]半導體器件的制造方法

在審

• 申請號: 201711173002.0
• 申請日: 2017-11-22
• 公開（公告）號: CN109817515A
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發明（設計）人: 章國偉;王孝娟
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/768
• 代理公司: 上海立群專利代理事務所(普通合伙) 31291
• 代理人: 侯莉;毛立群

1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底的表面形成有銅層；

對所述銅層的表面進行處理，以在所述銅層的表面形成氧化銅；

在所述氧化銅上形成圖形化光刻光層。

2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述處理為在含氧氣的氛圍中進行氧化。

3.如權利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述處理為：在含氧氣的爐內進行熱氧化或者在室溫下的無塵室內靜置。

4.如權利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述熱氧化的溫度大于140℃。

5.如權利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述熱氧化的時間大于180s。

6.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述處理為：利用化學試劑對所述銅層進行氧化或者在含氧等離子體的氛圍中進行氧化。

7.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述氧化銅的厚度為0.3μm至0.5μm。

8.如權利要求1至7任一項所述的形成方法，其特征在于，所述銅層用作再布線層，所述圖形化光刻膠層具有露出所述氧化銅的開口；

所述方法還包括：在所述開口內形成導電凸塊，然后去除所述圖形化光刻膠層。

9.如權利要求8所述的形成方法，其特征在于，形成所述導電凸塊的方法為電鍍。

10.如權利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述導電凸塊的材質為銅，所述電鍍所采用的電鍍液包括硫酸銅、硫酸、水和添加劑。

11.如權利要求10所述的形成方法，其特征在于，將用于作為所述導電凸塊的銅鍍于所述銅層之上之前，還包括：

將所述基底置于所述電鍍液中，并利用所述電鍍液去除所述開口下方的所述氧化銅。