[發明專利]發光二極管

有效

• 申請號: 201711172865.6
• 申請日: 2017-11-22
• 公開（公告）號: CN109411571B
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: A·P·雅各布;S·班納;D·納亞克
• 申請（專利權）人: 格芯美國公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/08
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 李崢;于靜

1.一種方法，包括：

在襯底材料上形成具有摻雜芯區域的凹陷鰭結構；

通過包覆所述凹陷鰭結構的第一凹陷鰭結構的所述摻雜芯區域而保護所述凹陷鰭結構的第二凹陷鰭結構和第三凹陷鰭結構的所述摻雜芯區域形成第一顏色發射區域；

通過包覆所述第二凹陷鰭結構的所述摻雜芯區域而保護所述第一凹陷鰭結構和所述第三凹陷鰭結構的所述摻雜芯區域形成第二顏色發射區域；以及

通過包覆所述第三凹陷鰭結構的所述摻雜芯區域而保護所述第一凹陷鰭結構和所述第二凹陷鰭結構的所述摻雜芯區域形成第三顏色發射區域。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，包覆所述第一凹陷鰭結構、所述第二凹陷鰭結構和所述第三凹陷鰭結構形成量子阱。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述第一凹陷鰭結構、所述第二凹陷鰭結構和所述第三凹陷鰭結構中的每一個的包覆包括沉積交替的InGaN材料和GaN材料的層而用硬掩模保護未被包覆的所述凹陷鰭結構。

4.根據權利要求3所述的方法，還包括在包覆層之上形成p型GaN層以及在所述p型GaN層之上形成絕緣層。

5.根據權利要求4所述的方法，還包括形成與所述p型GaN層接觸的p型接觸。

6.根據權利要求5所述的方法，還包括形成在每個凹陷鰭結構的所述摻雜芯區域和被蝕刻以形成所述凹陷鰭結構的所述襯底材料之間形成的緩沖層。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述緩沖層是AlN。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括在包覆所述第一凹陷鰭結構、所述第二凹陷鰭結構和所述第三凹陷鰭結構之前摻雜所述凹陷鰭結構。

9.根據權利要求1所述的方法，還包括在包覆所述第一凹陷鰭結構、所述第二凹陷鰭結構和所述第三凹陷鰭結構之后形成絕緣層，所述絕緣層使所述第一顏色發射區域、所述第二顏色發射區域和所述第三顏色發射區域絕緣。

10.根據權利要求9所述的方法，還包括在所述凹陷鰭結構的每個之間形成隔離區域，所述隔離區域包括與所述絕緣層不同的材料。

11.根據權利要求1所述的方法，還包括在相鄰的所述凹陷鰭結構之間形成反射鏡。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述反射鏡包括也接觸到所述襯底材料的金屬材料。

13.一種方法，包括：

形成襯底材料的鰭結構；

使所述鰭結構凹陷以形成凹陷鰭結構；

通過在所述凹陷鰭結構上沉積芯材料而在所述凹陷鰭結構上形成摻雜芯區域；

在尚未被包覆的芯區域之上形成硬掩模，而留下至少一個暴露的芯區域以進行包覆；

在所述至少一個暴露的芯區域之上形成交替包覆層；

去除所述硬掩模；

在所述交替包覆層和尚未被包覆的至少一個附加的芯區域之上形成另外的硬掩模，而留下至少另一個暴露的芯區域以進行包覆；以及

在所述至少另一個暴露的芯區域上形成交替包覆層。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，所述交替包覆層形成量子阱。

15.根據權利要求13所述的方法，還包括：

在所述芯區域之間形成隔離區域；以及

通過暴露所述襯底材料的所述隔離區域蝕刻溝槽。

16.根據權利要求15所述的方法，還包括：

在所述溝槽內和在暴露的所述襯底材料上沉積金屬材料；以及

在相鄰的包覆芯區域之間從所述金屬材料形成反射鏡，作為到所述襯底材料的接觸。