[發明專利]一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201711172127.1 | 申請日: | 2017-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN107978622B | 公開(公告)日: | 2020-08-11 |
| 發明(設計)人: | 朱仁遠;李玥;向東旭;高婭娜 | 申請(專利權)人: | 上海天馬有機發光顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 200120 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括顯示區域和圍繞所述顯示區域的非顯示區域;還包括:
襯底基板;
形成在所述襯底基板一側的多條掃描線和多條數據線,所述多條掃描線和所述多條數據線絕緣交叉限定多個像素單元;所述像素單元包括依次形成在所述襯底基板上的驅動電路層、有機發光器件層,所述有機發光器件層包括陽極層和陰極層;
形成在所述襯底基板一側的第一電極走線和第二電極走線,所述第一電極走線用于向所述陽極層提供第一電源電壓信號,所述第二電極走線用于向所述陰極層提供第二電源電壓信號;所述第一電極走線包括位于所述顯示區域的第一部分和延伸至所述非顯示區域的第二部分;所述第二電極走線形成在所述非顯示區域且圍繞所述顯示區域;
形成在所述非顯示區域且圍繞所述顯示區域的第一金屬走線和第二金屬走線,所述第一金屬走線和所述第二金屬走線電絕緣,所述第一金屬走線位于所述第二金屬走線靠近所述顯示區域的一側;所述第一金屬走線與所述第一電極走線的第二部分電連接;所述第二金屬走線與所述第二電極走線電連接;
所述第一電極走線包括沿所述掃描線延伸方向設置的多條第一子電極走線和沿所述數據線延伸方向設置的多條第二子電極走線,所述第一子電極走線與所述第二子電極走線交叉設置;
所述第一金屬走線與所述第一子電極走線電連接;和/或,所述第一金屬走線與所述第二子電極走線電連接;
在垂直于所述襯底基板的方向上,所述第一金屬走線與所述第一電極走線的第二部分存在第一交疊區域,所述第二金屬走線與所述第二電極走線存在第二交疊區域;
所述第一金屬走線與所述第一電極走線通過位于所述第一交疊區域的多個第一過孔電連接;所述第二金屬走線與所述第二電極走線通過位于所述第二交疊區域的多個第二過孔電連接。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一金屬走線以及所述第二金屬走線與所述陽極層同層設置。
3.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述多個第一過孔包括沿所述掃描線延伸方向設置的多個第一類過孔和沿所述數據線延伸方向設置的多個第二類過孔;所述第一金屬走線與所述第一子電極走線通過所述第二類過孔電連接,所述第一金屬走線與所述第二子電極走線通過所述第一類過孔電連接;
所述多個第二過孔包括沿所述掃描線延伸方向設置的多個第三類過孔和沿所述數據線延伸方向設置的多個第四類過孔,所述第二金屬走線與所述第二電極走線通過所述第三類過孔和所述第四類過孔電連接。
4.根據權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,每個所述第二類過孔與每一行像素單元對應設置。
5.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述驅動電路層還包括存儲電容,所述存儲電容包括第一電容基板和第二電容基板;
所述第一子電極走線與所述掃描線同層設置,或者與所述第一電容基板或者所述第二電容基板同層設置;
所述第二子電極走線與所述數據線同層設置。
6.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第二電極走線與所述數據線同層設置。
7.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,還包括位于所述驅動電路層與所述有機發光器件層之間的平坦化層,所述第一過孔和所述第二過孔形成在所述平坦化層。
8.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,還包括位于所述陽極層與所述陰極層之間的像素定義層,所述像素定義層上形成有陰極接觸孔,所述陰極層與所述第二金屬走線通過所述陰極接觸孔電連接。
9.一種顯示面板,其特征在于,包括權利要求1-8任一項所述的陣列基板。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求9所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





