[發明專利]聚亞芳基樹脂

在審

• 申請號: 201711171701.1
• 申請日: 2017-11-22
• 公開（公告）號: CN108203485A
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發明（設計）人: 王慶民;E·K·邁克爾-薩皮;C·吉爾摩;丁平;金映錫
• 申請（專利權）人: 羅門哈斯電子材料有限責任公司
• 主分類號: C08F232/06
• 分類號: C08F232/06;C08F238/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳哲鋒;胡嘉倩

由具有增溶部分的芳香族二炔烴單體形成且具有相對較高的重量平均分子量和相對較低的多分散性的聚亞芳基聚合物在某些有機溶劑中展示出提高的溶解度且適用于在單一涂布步驟中形成相對較厚的介電材料層。

本發明大體上涉及聚亞芳基材料領域并且更確切地說，涉及用于電子應用的聚亞芳基低聚物。

聚合物電介質可以作為絕緣層用于各種電子器件中，如集成電路、多芯片模塊、層壓電路板、顯示器等等。電子制造行業對介電材料具有不同要求，如介電常數、熱膨脹系數、模量等等，這取決于具體應用。

各種無機材料，如二氧化硅、氮化硅和氧化鋁，已用作電子器件中的介電材料。這些無機材料一般可以典型地通過氣相沉積技術以薄層形式沉積，并且具有有利特性，如不易吸水。聚合物介電材料常常具有以下特性，所述特性在某些應用中提供優于無機介電材料的優勢，如易涂覆(如通過旋涂技術)、空隙填充能力、較低介電常數和耐受某些應力而不破裂的能力(即，聚合物電介質可以比無機介電材料更不易碎)。然而，聚合物電介質常常存在制造期間加工整合的難題。舉例來說，為了在某些應用(如集成電路)中替換二氧化硅作為電介質，聚合物電介質必須能夠在工藝的金屬化和退火步驟期間耐受加工溫度。一般來說，聚合物介電材料的玻璃化轉變溫度應大于后續制造步驟的加工溫度。另外，聚合物電介質不應吸水，吸水可能造成介電常數增加并且可能腐蝕金屬導體。

聚亞芳基聚合物作為介電材料是眾所周知的并且具有許多所期望的特性。舉例來說，國際專利申請第WO 97/10193號公開了由某些被乙炔基取代的芳香族化合物和雙環戊二烯酮單體制備的某些聚亞芳基低聚物。這些被乙炔基取代的芳香族化合物中的芳香族環可以被某些取代基取代，如CF₃-、CF₃O-、ArO-、ArS-或(Ar)₂P(＝O)-，其中Ar表示某一芳香族環。聚亞芳基低聚物是在相對高的溫度下、在具有相對高沸點(典型地≥150℃)的有機溶劑中制備。然而，這類反應溶劑作為電子行業中的澆鑄溶劑是不好的選擇，而聚亞芳基低聚物必須從反應溶劑沉淀并且溶解于適于澆鑄這些聚合物的膜的具有低得多的沸點的不同有機溶劑中。這類聚亞芳基低聚物在電子行業通常所用的有機溶劑中的溶解度有限，限制了這些聚合物的使用。美國已公開專利申請第2016/0060393號公開了溶解度提高的被極性部分封端的聚亞芳基低聚物，其由包含兩個環戊二烯酮部分的第一單體、被乙炔基取代的芳香族化合物作為第二單體和被單乙炔基取代的式化合物作為第三單體發生反應而制備，其中R²為H、任選地被取代的C_1-10烷基、任選地被取代的C_7-12芳烷基、任選地被取代的C_6-10芳基或R³，且R³是極性部分。盡管這些極性部分封端的聚亞芳基低聚物與常規聚亞芳基低聚物相比在某些有機溶劑中的溶解度未提高，但在一些溶劑中的溶解度提高不足以允許這些聚亞芳基低聚物用于電子行業中的某些應用中。行業中需要在有機溶劑中，特別是在電子行業中用于澆鑄聚合物膜的有機溶劑中的溶解度改進的聚亞芳基聚合物。

本發明提供了一種包含以下作為聚合單元的聚亞芳基聚合物：一種或多種包含兩個或更多個環戊二烯酮部分的第一單體；和一種或多種被聚炔基取代的式(1)第二單體：