[發(fā)明專利]發(fā)光裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711169302.1
• 申請日: 2017-11-13
• 公開（公告）號: CN108123055B
• 公開（公告）日: 2020-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃奕翔;蔡玉堂;陳冠廷
• 申請（專利權(quán)）人: 財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院;創(chuàng)智智權(quán)管理顧問股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 祁建國;梁揮

1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括：

發(fā)光元件，包括發(fā)光層；

導(dǎo)光結(jié)構(gòu)，用以導(dǎo)引出所述發(fā)光層所發(fā)出的光線，其中所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述發(fā)光元件的側(cè)邊，且所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)的折射率大于或等于所述發(fā)光元件的平均折射率；

出光結(jié)構(gòu)，用以接收所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)所導(dǎo)出的所述光線，使所述光線射出所述發(fā)光裝置；

基板；以及

折射率差異透明層，其折射率大于所述發(fā)光元件以及所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)的折射率或其折射率小于所述發(fā)光元件以及所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)的折射率，所述折射率差異透明層設(shè)置于所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)與所述基板之間。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)的折射率大于等于1.6，并且小于等于2.5。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述出光結(jié)構(gòu)包括反射結(jié)構(gòu)，且所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述發(fā)光元件與所述出光結(jié)構(gòu)之間。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述出光結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)內(nèi)。

5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述出光結(jié)構(gòu)包括多個散射顆粒。

6.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述出光結(jié)構(gòu)包括多個折射結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述多個折射結(jié)構(gòu)內(nèi)為空氣或折射率低于所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)的材料。

8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述出光結(jié)構(gòu)包括凹槽，設(shè)置于所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)的第一表面。

9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述凹槽的底部與所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)中相對于所述第一表面的第二表面之間的間距小于其中λ為所述光線的波長，n為所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)的折射率。

10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其中所述發(fā)光元件包括發(fā)光堆棧結(jié)構(gòu)、第一電極與第二電極，所述發(fā)光堆棧結(jié)構(gòu)包括所述發(fā)光層，所述第一電極與所述第二電極分別電性連接于所述發(fā)光層，且設(shè)置于所述發(fā)光堆棧結(jié)構(gòu)與所述基板之間，且所述第一電極與所述第二電極彼此分離而露出所述發(fā)光堆棧結(jié)構(gòu)的一部分表面。

11.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其中所述發(fā)光元件包括發(fā)光堆棧結(jié)構(gòu)、第一電極與第二電極，所述發(fā)光堆棧結(jié)構(gòu)包括所述發(fā)光層，所述第一電極與所述第二電極分別電性連接于所述發(fā)光層，且所述第一電極設(shè)置于所述發(fā)光堆棧結(jié)構(gòu)上，所述第二電極設(shè)置于所述發(fā)光堆棧結(jié)構(gòu)與所述基板之間。

12.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一電極為透明電極、半透明電極或不透光的反射電極。

13.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第二電極為透明電極或不透光的反射電極。

14.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第二電極為不透光的反射鏡。

15.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第二電極為分散式布拉格反射鏡或波長選擇反射鏡。

16.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光元件還包括折射率低于所述發(fā)光堆棧結(jié)構(gòu)的低折射率層，設(shè)置于所述第二電極與所述發(fā)光堆棧結(jié)構(gòu)之間。

17.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，還包括薄膜封裝層或色飽和增益結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)與所述發(fā)光元件上。

18.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，還包括平坦層，所述平坦層設(shè)置于所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)與所述基板之間。