[發(fā)明專利]晶圓鍵合方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711169180.6 | 申請日： | 2017-11-22 |
| 公開（公告）號： | CN107946185A | 公開（公告）日： | 2018-04-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 孟俊生;李志偉;黃仁德;王歡 | 申請（專利權(quán)）人： | 德淮半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/18 | 分類號： | H01L21/18;H01L21/306;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所11038 | 代理人： | 田菁 |
| 地址： | 223300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶圓鍵合 方法 | ||
1.一種晶圓鍵合方法，其特征在于，包括：
對第一晶圓的待鍵合表面進行活化處理，和/或?qū)Φ诙A的待鍵合表面進行活化處理；
在第一氣壓的環(huán)境中，使所述第一和第二晶圓的待鍵合表面接觸，并施加壓力以擠壓所述第一和第二晶圓；以及
在第二氣壓的環(huán)境中，對所述第一和第二晶圓進行退火處理，
其中，所述第二氣壓大于所述第一氣壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二氣壓比所述第一氣壓大1.5個大氣壓或更多。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氣壓為等于或小于0.1個大氣壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二氣壓為等于或大于2個大氣壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述壓力的大小為小于100kgf，以及所述壓力的施加時間為1～5min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二氣壓的環(huán)境由非氧化性氣體形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述非氧化性氣體包括氫氣、氮氣、和氦族氣體中的一種或多種的混合。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火處理的溫度為200～300℃以及時間為80～140min。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，
所述第一晶圓包括第一介質(zhì)層，所述第一晶圓的待鍵合表面為所述第一介質(zhì)層的靠近所述第二晶圓的表面；以及
所述第二晶圓包括第二介質(zhì)層，所述第二晶圓的待鍵合表面為所述第二介質(zhì)層的靠近所述第一晶圓的表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層的厚度范圍為
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于德淮半導(dǎo)體有限公司，未經(jīng)德淮半導(dǎo)體有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711169180.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
