[發(fā)明專利]一種太陽能電池背板及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711169077.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107978651A | 公開(公告)日: | 2018-05-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蘇彤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳萬佳互動(dòng)科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/049 | 分類號(hào): | H01L31/049;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518101 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 太陽能電池 背板 及其 制造 方法 | ||
1.一種太陽能電池背板的制造方法,其特征在于:所述方法包括如下步驟: 提供第一聚合物耐候?qū)印⒌诙酆衔锬秃驅(qū)印⒌谝唤Y(jié)構(gòu)增強(qiáng)層、第二結(jié)構(gòu)增強(qiáng)層、第三結(jié)構(gòu)增強(qiáng)層、第三聚合物耐候?qū)右约暗谒木酆衔锬秃驅(qū)樱?將所述第一聚合物耐候?qū)印⒌诙酆衔锬秃驅(qū)印⒌谝唤Y(jié)構(gòu)增強(qiáng)層、第二結(jié)構(gòu)增強(qiáng)層、第三結(jié)構(gòu)增強(qiáng)層、第三聚合物耐候?qū)右约暗谒木酆衔锬秃驅(qū)舆M(jìn)行層疊,得到層疊體,隨后對(duì)所述層疊體進(jìn)行熱壓; 待熱壓后的層疊體冷卻之后,在所述第一聚合物耐候?qū)拥囊粋?cè)沉積底層無機(jī)物耐候?qū)樱缓笤谒龅谒木酆衔锏囊粋?cè)沉積頂層無機(jī)物耐候?qū)樱鰺釅簽檎婵諢釅海鰺釅喊ㄈA段熱壓: 第一階段熱壓,第一階段熱壓溫度為70-120℃,壓力為10-15MPa,時(shí)間為30-60s; 隨后進(jìn)行第二階段熱壓,第二階段熱壓溫度為230-280℃,壓力為70-100MPa,時(shí)間為300-600s; 隨后進(jìn)行第三階段熱壓,第二階段熱壓溫度為120-150℃,壓力為30-40MPa,時(shí)間為20-50s,所述太陽能電池背板自下而上依次包括:底層無機(jī)物耐候?qū)印⒌谝痪酆衔锬秃驅(qū)印⒌诙酆衔锬秃驅(qū)印⒌谝唤Y(jié)構(gòu)增強(qiáng)層、第二結(jié)構(gòu)增強(qiáng)層、第三結(jié)構(gòu)增強(qiáng)層、第三聚合物耐候?qū)印⒌谒木酆衔锬秃驅(qū)右约绊攲訜o機(jī)物耐候?qū)樱渲校龅谝痪酆衔锬秃驅(qū)拥暮穸却笥谒龅诙酆衔锬秃驅(qū)拥暮穸龋龅谒木酆衔锬秃驅(qū)拥暮穸却笥谒龅谌酆衔锬秃驅(qū)拥暮穸龋龅谝唤Y(jié)構(gòu)增強(qiáng)層、第二結(jié)構(gòu)增強(qiáng)層以及第三結(jié)構(gòu)增強(qiáng)層的厚度相同,在150-200℃時(shí),所述第一聚合物耐候?qū)拥恼扯却笥谒龅诙酆衔锬秃驅(qū)拥恼扯龋龅诙酆衔锬秃驅(qū)拥恼扯却笥谒龅谝唤Y(jié)構(gòu)增強(qiáng)層的粘度,所述第一結(jié)構(gòu)增強(qiáng)層的粘度大于所述第二結(jié)構(gòu)增強(qiáng)層的粘度,所述第四聚合物耐候?qū)拥恼扯却笥谒龅谌酆衔锬秃驅(qū)拥恼扯龋龅谌酆衔锬秃驅(qū)拥恼扯却笥谒龅谌Y(jié)構(gòu)增強(qiáng)層的粘度,所述第三結(jié)構(gòu)增強(qiáng)層的粘度大于所述第二結(jié)構(gòu)增強(qiáng)層的粘度,所述第一聚合物耐候?qū)印⒌诙酆衔锬秃驅(qū)印⒌谌酆衔锬秃驅(qū)右约暗谒木酆衔锬秃驅(qū)拥暮穸葹?0-50μm,所述第一結(jié)構(gòu)增強(qiáng)層、第二結(jié)構(gòu)增強(qiáng)層以及第三結(jié)構(gòu)增強(qiáng)層的厚度為10-20μm,所述底層無機(jī)物耐候?qū)右约八鲰攲訜o機(jī)物耐候?qū)拥暮穸葹?0-30nm,所述第二聚合物耐候?qū)印⒌谝唤Y(jié)構(gòu)增強(qiáng)層、第二結(jié)構(gòu)增強(qiáng)層、第三結(jié)構(gòu)增強(qiáng)層以及第三聚合物耐候?qū)拥膬擅娴谋砻娲植诙葹?μmRa3μm,所述第一聚合物耐候?qū)印⒌诙酆衔锬秃驅(qū)印⒌谌酆衔锬秃驅(qū)右约暗谒木酆衔锬秃驅(qū)铀褂玫木酆衔锸蔷埘0罚龅谝唤Y(jié)構(gòu)增強(qiáng)層、第二結(jié)構(gòu)增強(qiáng)層以及第三結(jié)構(gòu)增強(qiáng)層所使用的材料是聚對(duì)苯二甲酸乙二酯。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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