[發明專利]基于雙層光柵的芯片-光纖垂直耦合結構有效
| 申請號： | 201711166105.4 | 申請日： | 2017-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN107765375B | 公開（公告）日： | 2019-06-25 |
| 發明（設計）人： | 劉曉平;王鵬 | 申請（專利權）人： | 南京大學 |
| 主分類號： | G02B6/42 | 分類號： | G02B6/42 |
| 代理公司： | 南京知識律師事務所 32207 | 代理人： | 李媛媛 |
| 地址： | 210093 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 雙層 光柵 芯片 光纖 垂直 耦合 結構 | ||
【權利要求書】：
1.基于雙層光柵的芯片-光纖垂直耦合結構，其特征在于，該耦合結構包括襯底、傳輸介質層、下層光柵、外延介質層和上層光柵，其中，上層光柵和下層光柵使得入射光的0級衍射強度最低，入射光經過所述耦合結構后的衍射光傳播方向與入射光方向形成90度的偏折；所述上層光柵的光柵周期是1.2um，光柵深度是0.8um-1.2um，光柵占空比為0.7-0.8；所述下層光柵的光柵周期是0.5-0.7um，光柵深度為80-120nm，光柵占空比為0.4-0.6；外延介質層的厚度是3um。
2.根據權利要求1所述的基于雙層光柵的芯片-光纖垂直耦合結構，其特征在于，所述下層光柵的中心位置處設有布拉格反射鏡。
3.根據權利要求1所述的基于雙層光柵的芯片-光纖垂直耦合結構，其特征在于，所述襯底與傳輸介質層之間設有反射結構。
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