[發明專利]改善晶元表面應力的方法在審
| 申請號： | 201711165444.0 | 申請日： | 2017-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN107968039A | 公開（公告）日： | 2018-04-27 |
| 發明（設計）人： | 夏余平;蔣陽波;汪亞軍;李君;張靜平 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京辰權知識產權代理有限公司11619 | 代理人： | 劉廣達 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市洪山區東*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改善 表面 應力 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種改善晶元表面應力的方法，包括：
在Si晶元正面和背面分別依次沉積二氧化碳硅和SIN；
在SIN表面再沉積一層二氧化硅，以保護SIN；
去除晶元正面和背面的二氧化硅；
去除晶元正面SIN；
去除晶元背面的部分SIN。
2.根據權利要求1所述的一種改善晶元表面應力的方法，其特征在于：使用濕法單一工藝分別去除晶元正面和背面的二氧化硅。
3.根據權利要求1所述的一種改善晶元表面應力的方法，其特征在于：利用濕法批工藝同時去除晶元正面和背面的二氧化硅。
4.根據權利要求所述的一種改善晶元表面應力的方法，其特征在于：通過化學時間控制方法去除晶元背面的部分SIN。
5.根據權利要求1-4任一項所述的一種改善晶元表面應力的方法，其特征在于：在濕法工藝中可選擇化學藥品的選擇比，以對晶元表面的薄膜進行選擇性刻蝕。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
