[發明專利]一種霍爾傳感器在審
| 申請號: | 201711164096.5 | 申請日: | 2017-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN107765197A | 公開(公告)日: | 2018-03-06 |
| 發明(設計)人: | 何云;劉桂芝;吳國平 | 申請(專利權)人: | 上海南麟電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G01R33/07 | 分類號: | G01R33/07;H01L43/06;H01L43/04 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙)31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 201210 上海市浦東新區*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 霍爾 傳感器 | ||
本發明提供一種霍爾傳感器,包括:襯底、感測區及電極;感測區呈十字形輪廓,具有四個凸出部,朝感測區中心內凹的圓弧化內角連接相鄰的兩個凸出部,感測區凸出部內具有電極,電極朝感測區中心向外凸出;本發明霍爾傳感器具有圓弧化內角,避免感測區出現直角內角,使得電荷移動時可避免電流在直角內角處過度集中,從而解決電流在感測區直角內角部分過度集中,導致直角內角部分電場強度過大,引起元件耐壓不足,造成元件損壞的問題;電極朝感測區中心向外凸出,在不顯著增加電極區域有效面積的情況下,增加了電極的長度,從而可收集更多的電荷,減少了電勢電極之間形成霍爾電場的時間。
技術領域
本發明屬于半導體器件領域,涉及一種霍爾傳感器。
背景技術
霍爾傳感器是根據霍爾效應制作的一種磁場傳感器。霍爾效應是磁電效應的一種,這一現象是霍爾(A.H.Hall,1855-1938)于1879年在研究金屬的導電機制時發現的,后來發現半導體、導電流體等也有這種效應。
霍爾效應:若將金屬或半導體薄片垂直置于磁感應強度為B的磁場中,給垂直磁場方向上通入電流時,在垂直于電流和磁場的方向上產生電場的物理現象,適用于左手定則,即將左手掌攤平,讓磁感線穿過手掌心,四指表示正電荷運動方向,則和四指垂直的大拇指所指方向即為洛倫茲力的方向。但須注意,運動電荷是正的,大拇指的指向即為洛倫茲力的方向。反之,如果運動電荷是負的,仍用四指表示電荷運動方向,那么大拇指的指向的反方向為洛倫茲力方向。由于霍爾傳感器能夠檢測磁場的方向和大小,因此可以廣泛地應用于工業自動化技術、檢測技術及信息處理等方面,并且基于半導體的霍爾傳感器被廣泛使用。這里,基于半導體的霍爾傳感器是指用互補金屬氧化物半導體(CMOS)、雙極(Bipolar)、雙極-互補金屬氧化物半導體(Bipolar CMOS)實施的霍爾傳感器。
在傳統的半導體霍爾傳感器中,感測區一般為N型半導體材料,形成在P型半導體襯底上。圖1顯示為現有技術中的一種十字形狀霍爾傳感器的俯視結構示意圖。其中,霍爾傳感器感測區101為N型半導體材料,所述感測區101的電極包括第一電極102a、第二電極102b、第三電極102c及第四電極102d,所述第一電極102a及第三電極102c構成電勢電極,所述第二電極102b及第四電極102d構成電流電極。
圖2顯示為圖1中的霍爾傳感器在電場作用下電荷的運行示意圖。根據霍爾效應機理,在沒有磁場的情況下,在所述電流電極之間外加激勵電流I,所述感測區101中的電荷104在電場影響下,從所述第四電極102d向所述第二電極102b做定向運動,即所述電荷104沿運行路線103a、103b及103c標示的方向運動。由于所述電勢電極上沒有積累所述電荷104,因而,沒有形成電場,故理想情況下所述電勢電極之間的霍爾電勢為零。
圖3顯示為圖1中的霍爾傳感器在電場及磁場作用下電荷的運行示意圖。將所述感測區101垂直置于磁場強度為B的磁場中(即垂直于紙面向外的磁場強度為B的磁場),在所述電流電極之間外加激勵電流I,所述電荷104在激勵電流I形成的電場影響下做定向運動的同時,受洛倫茲力的作用向所述感測區101上端面ABCDEF積累偏轉,即所述電荷104沿所述運行路線103a、103b及103c標示的方向運動。因而,所述感測區101產生由下端面GHIJKL至上端面ABCDEF的橫向電場EH。
所述感測區101上端面ABCDEF上積累的所述電荷104隨時間的推移而增加,橫向電場EH也相應增加,直至橫向電場EH對所述電荷104的作用力抵消其所受的洛倫茲力時(即大小相等,方向相反),所述感測區101上下端面積累的所述電荷104不再增加,達到平衡,此時建立起穩定的橫向電場和橫向電勢,即為霍爾電場和霍爾電勢。從霍爾電勢建立的過程可以看出,要產生較明顯的霍爾效應,就必須在穩定的霍爾電場建立前,在所述感測區101的所述電勢電極上積累盡可能多的所述電荷104。
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