[發明專利]一種WS2 有效
| 申請號: | 201711164092.7 | 申請日: | 2017-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN107907557B | 公開(公告)日: | 2020-04-28 |
| 發明(設計)人: | 王顯福;湯凱;晏成林 | 申請(專利權)人: | 蘇州大學 |
| 主分類號: | G01N23/227 | 分類號: | G01N23/227;G01N23/20;G01N23/2251;G01N21/65 |
| 代理公司: | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人: | 孫仿衛 |
| 地址: | 215137 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 ws base sub | ||
1.一種WS2納米片中S原子對Pt沉積選擇的驗證方法,其特征在于,它包括以下步驟:
(a)采用不同比例的鎢酸鹽和硫脲進行水熱反應以在金屬基底上生長WS2納米片,得到多個工作電極;
(b)采用多種表征測試手段確定多個所述工作電極上WS2納米片的微觀形貌特征,將硫原子區分為基面S原子和邊緣S原子;對所述工作電極進行陰極極化控制測試,并根據陰極極化控制測試前后工作電極上沉積硫原子的多少確定其上WS2納米片中基面S原子和邊緣S原子的活性,判斷影響Pt沉積的決定因素;(c)定義所述邊緣S原子中,與一個W原子相連并以共價鍵配位的兩個S原子為終端S22-、與兩個W原子形成共價鍵的為終端S2-、與三個W原子形成共價鍵的為頂端S2-,根據X射線光電子能譜確定邊緣S的不同種類和比例以及多個所述工作電極中WS2納米片邊緣的W、S元素比;
(d)采用密度泛函理論計算Pt在不同邊緣S原子上沉積時的自由能變化確定其對Pt的吸附能力。
2.根據權利要求1所述WS2納米片中S原子對Pt沉積選擇的驗證方法,其特征在于:步驟(a)中,還選用商業二硫化鎢負載在金屬基底上作為工作電極的對比樣品。
3.根據權利要求1所述WS2納米片中S原子對Pt沉積選擇的驗證方法,其特征在于,步驟(a)中,所述工作電極的制備具體為:(a1)將金屬基底進行清洗備用;(a2)將鎢酸鹽和硫脲溶于去離子水中形成混合溶液,置于高壓釜中,放入清洗后的金屬基底,進行水熱反應;(a3)取出水熱反應后的金屬基底,用去離子水、乙醇清洗多次,干燥即可;所述鎢酸鹽和硫脲的摩爾比為1:2~5。
4.根據權利要求1或3所述WS2納米片中S原子對Pt沉積選擇的驗證方法,其特征在于:步驟(a)中,采用不同比例的鎢酸鹽和硫脲以控制生長不同邊緣S原子富集程度的WS2納米片。
5.根據權利要求2所述WS2納米片中S原子對Pt沉積選擇的驗證方法,其特征在于,所述對比樣品的制備具體為:將商業二硫化鎢和乙炔黑置于酒精和Nafion溶液組成的混合液中,超聲分散;隨后滴于碳紙上,干燥即可。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州大學,未經蘇州大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711164092.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復合材料的制備方法





