[發明專利]一種厚膜混合集成電路及其批量生產控制方法

有效

• 申請號: 201711163906.5
• 申請日: 2017-11-21
• 公開（公告）號: CN109817648B
• 公開（公告）日: 2023-06-09
• 發明（設計）人: 田振國;田仁杰
• 申請（專利權）人: 湖北東光電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/13
• 分類號: H01L27/13;H01L21/67
• 代理公司: 荊門市首創專利事務所 42107
• 代理人: 董聯生

1.一種厚膜混合集成電路，包括厚膜電阻R6、厚膜電阻R7、瓷片電容C2、瓷片電容C3；其特征在于：厚膜電阻R6另一端連接厚膜電阻R7一端，厚膜電阻R7另一端連接運算放大器U2的同相輸入端；

厚膜電阻R6另一端連接瓷片電容C2一端，瓷片電容C2另一端連接電阻R8一端、運算放大器U2的輸出端，電阻R8另一端連接運算放大器U2的反相輸入端；

瓷片電容C3一端連接運算放大器U2的同相輸入端，瓷片電容C3另一端接地；

電阻R9一端連接運算放大器U2的反相輸入端，電阻R9另一端接地；

所述厚膜電阻R6、瓷片電容C2形成第一組阻容對；厚膜電阻R7、瓷片電容C3形成第二組阻容對；

厚膜電阻R6與瓷片電容C2的乘積、以及厚膜電阻R7與瓷片電容C3的乘積保持精確固定，其積的精度誤差需控制到0.11%以內；

所述厚膜電阻R6、厚膜電阻R7阻值為：615.0±1.0KΩ，精度要求控制在0.15%以內；

所述瓷片電容C2、瓷片電容C3為：NPO/1206/1%高精度瓷片電容。

2.如權利要求1任意一項所述的一種厚膜混合集成電路，其特征在于：該電路工作于二階選頻非線性工作點。