[發明專利]一種金屬氧化物及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 201711163223.X
• 申請日: 2017-11-21
• 公開（公告）號: CN109817840B
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發明（設計）人: 王宇;曹蔚然
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發明公開了一種金屬氧化物及其制備方法和應用，所述制備方法包括步驟：將A鹽和B鹽加入醇溶液M中，攪拌至固體溶解，向上述溶液中加入堿溶液，得到混合溶液，使混合溶液發生反應，并生成沉淀物；將上述含沉淀物的溶液攪拌均勻，并進行水熱處理，反應得到金屬氧化物；其中，A為正二價態金屬元素和正三價金屬元素中一種或多種，B為正三價態金屬或正四價態金屬元素為正三價態金屬和正四價態金屬元素中一種或多種，本發明解決了現有方法制備的鈣鈦礦型金屬氧化物在制成電子傳輸層時，需要經過高溫退火，容易對QD層造成損害的問題。

技術領域

本發明涉及鈣鈦礦型金屬氧化物技術領域，尤其涉及一種金屬氧化物及其制備方法和應用。

背景技術

鈣鈦礦型金屬氧化物為一種鈣鈦礦型材料，具有極其穩定的性能，被應用到光伏器件或者傳感器中，其作為n型寬帶隙半導體材料，帶隙約為3.2 ev具有傳輸電子的特性，可以作為電子傳輸層被應用到QLED中。但是目前合成該材料的方法都是使用高溫合成或者使用磁控濺射的方法，這些方法都會對QD層造成損害，而限制了該材料在QLED器件中的應用。

因此，現有技術還有待于改進和發展。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種金屬氧化物的制備方法及其應用、QLED器件，旨在解決現有方法制備的鈣鈦礦型金屬氧化物在制成電子傳輸層時，需要高溫經過退火容易，易對QD層造成損害的問題。

本發明的技術方案如下：

一種金屬氧化物的制備方法，其中，包括：

將A鹽和B鹽加入醇溶液M中，攪拌至固體溶解；

向上述溶液中加入堿溶液，得到混合溶液，使混合溶液發生反應，并生成沉淀物；

將上述含沉淀物的溶液攪拌均勻，并進行水熱處理，反應得到金屬氧化物；

其中，A為正二價態金屬元素和正三價金屬元素中一種或多種，B為正三價態金屬或正四價態金屬元素為正三價態金屬和正四價態金屬元素中一種或多種。

所述的金屬氧化物的制備方法，其中，所述醇溶液M中，醇的體積分數為30%~70%。

所述的金屬氧化物的制備方法，其中，所述A鹽為金屬元素A的硝酸鹽、醋酸鹽、氯化鹽和草酸鹽中的一種或多種，

所述的金屬氧化物的制備方法，其中，所述B鹽為金屬元素B的硝酸鹽、醋酸鹽、氯化鹽和草酸鹽中的一種或多種。

所述的金屬氧化物的制備方法，其中，所述ACa、Sr、Ba、La和Sc中的一種或多種，所述B為Ti、Zr、Sn、Fe、Al和Ga中一種或多種。

所述的金屬氧化物的制備方法，其中，當A為Ca、Sr和Ba中的一種或多種時，所述將A鹽和B鹽加入醇溶液M中還包括：

向醇溶液M中加入D鹽，所述D為金屬元素La和Sc中一種或多種。

所述的金屬氧化物的制備方法，其中，所述D鹽與所述A鹽的摩爾比為0.01:1~0.2:1。

所述的金屬氧化物的制備方法，其中，所述醇溶液M為甲醇溶液、乙醇溶液、丙醇溶液、丁醇溶液或異丙醇溶液。

所述的金屬氧化物的制備方法，其中，所述熱水處理溫度為100-250℃。

所述的金屬氧化物的制備方法，其中，所述熱水處理時間為1-24h。

一種金屬氧化物，其中，由如上所述方法制備而成。

一種金屬氧化物在QLED器件中的應用，其中，包括步驟：

提供第一電極；

在第一電極上沉積量子點發光層；