[發明專利]一種金屬氧化物及其制備方法、QLED器件

有效

• 申請號: 201711163222.5
• 申請日: 2017-11-21
• 公開（公告）號: CN109817839B
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: 王宇;曹蔚然
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發明公開了一種金屬氧化物及其制備方法、QLED器件，所述金屬氧化物的化學式為A_(1?x)M_xBO₃；其中，A為金屬元素Ca、Sr和Ba中的一種或多種，且B為金屬元素Ti、Zr和Sn中一種或多種，M代表外層電子結構為(n?1)d⁵ns²的金屬元素，0x1。本發明解決了現有的鈣鈦礦型金屬氧化物ABO₃應用到QLED的電子傳輸層中時，金屬氧化物ABO₃與電極材料傳輸材料之間能級勢壘過大，不利于載流子的傳輸的問題。

技術領域

本發明涉及金屬氧化物技術領域，尤其涉及一種金屬氧化物及其制備方法和應用、QLED器件。

背景技術

ABO₃為一種鈣鈦礦型材料，具有極其穩定的性能，被應用到光伏器件或者傳感器中，其作為n型寬帶隙半導體材料，帶隙約為3.2 ev具有傳輸電子的特性，可以作為電子傳輸層被應用到QLED中。但是其導帶能級約為-3.91 eV，其在應用到目前的QLED器件中，不利于和陰極電極材料（Al或Ag或AZO其功函數約為4.2 eV）或者陽極電極材料ITO或者FTO（其功函數4.6-4.7eV）形成有效的歐姆接觸，也即是電極材料與傳輸材料之間能級勢壘過大，不利于載流子的傳輸，因而影響器件的性能。

因此，現有技術還有待于改進和發展。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種金屬氧化物及其制備方法和應用、QLED器件，旨在解決現有的鈣鈦礦型金屬氧化物ABO₃應用到QLED的電子傳輸層中時，金屬氧化物ABO₃與電極材料傳輸材料之間能級勢壘過大，不利于載流子的傳輸的問題。

本發明的技術方案如下：

一種金屬氧化物，其中，所述金屬氧化物的化學式為A_(1-x)M_xBO₃；

其中，A為金屬元素Ca、Sr和Ba中的一種或多種且B為金屬元素Ti、Zr和Sn中一種或多種，M代表外層電子結構為(n-1)d⁵ns²的金屬元素，0x1。

所述的金屬氧化物，其中，所述M為金屬元素Zn、Cd、Mn和Tc中一種或多種。

所述的金屬氧化物，其中，0x0.4。

一種金屬氧化物的制備方法，其中，包括步驟：

按摩爾份計，將含1-x 份A離子的A鹽溶液、含x份M離子的M鹽溶液及含1份B離子的B鹽溶液混合，得到混合液；

將混合液進行熱反應，即得到金屬氧化物，，所述金屬氧化物的化學式為A_(1-x)M_xBO₃；

其中，A為金屬元素Ca、Sr和Ba中的一種或多種且B金屬元素為Ti、Zr和Sn中一種或多種，M代表外層電子結構為(n-1)d⁵ns²的金屬元素的離子，0x1。

所述的金屬氧化物的制備方法，其中，所述M為金屬元素Zn、Cd、Mn和Tc中一種或多種。

所述的金屬氧化物的制備方法，其中，0x0.4。

所述的金屬氧化物的制備方法，其中，所述A鹽為金屬元素A的硝酸鹽、醋酸鹽、氯化鹽和醇鹽中的一種或多種，和/或所述B鹽為金屬元素B的硝酸鹽、醋酸鹽、氯化鹽和醇鹽中的一種或多種，和/或所述M鹽為金屬元素M的硝酸鹽、醋酸鹽和氯化鹽中的一種或多種。

所述的金屬氧化物的制備方法，其特征在于，所述醇鹽為甲醇鹽、乙醇鹽、丙醇鹽、丁醇鹽或者異丙醇鹽。