[發明專利]靜態隨機存取存儲器件

有效

• 申請號: 201711162311.8
• 申請日: 2017-11-21
• 公開（公告）號: CN108122916B
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發明（設計）人: 廖忠志
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11
• 分類號: H01L27/11
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種包括靜態隨機存取存儲(SRAM)器件的半導體器件，包括：

第一靜態隨機存取存儲陣列，包括布置為矩陣的第一多個位單元；

第二靜態隨機存取存儲陣列，包括布置為矩陣的第二多個位單元；以及

多個鄰接的偽單元，被配置為不具有任何電功能且設置在所述第一靜態隨機存取存儲陣列與所述第二靜態隨機存取存儲陣列之間，

其中：

所述多個鄰接的偽單元中的每一個都包括：

多個偽柵電極層；和

多個偽接觸件，并且

所述半導體器件還包括從所述第一靜態隨機存取存儲陣列連續延伸至所述第二靜態隨機存取存儲陣列的第一類阱，所述第一類阱與所述多個偽接觸件的部分直接接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第一靜態隨機存取存儲陣列和所述第二靜態隨機存取存儲陣列在第一方向上彼此對準，并且

在所述多個鄰接的偽單元中，所述多個偽接觸件和所述多個偽柵電極層在所述第一方向上交替布置。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述多個偽接觸件中的在與所述第一方向垂直的第二方向上彼此對準的兩個或更多個偽接觸件彼此間隔開，并且所述多個偽柵電極層中的在所述第二方向上彼此對準的偽柵電極層彼此間隔開。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述多個偽接觸件中的至少一個在與所述第一方向垂直的第二方向上連續延伸跨越所述多個鄰接的偽單元。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，在所述多個鄰接的偽單元中，所述多個偽柵電極層中的在所述第二方向上彼此對準的偽柵電極層彼此間隔開。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第一靜態隨機存取存儲陣列還包括位于所述第一多個位單元的相對兩側上的第一多個邊緣偽單元和為所述第一多個位單元提供固定電位的第一阱帶單元，

所述第二靜態隨機存取存儲陣列還包括位于所述第二多個位單元的相對兩側上的第二多個邊緣偽單元和為所述第二多個位單元提供固定電位的第二阱帶單元，并且

所述多個鄰接的偽單元設置在所述第一阱帶單元與所述第二阱帶單元之間。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第一類阱為N型阱，并且

所述存儲器件還包括位于所述第一類阱的相對兩側上的第一和第二P型阱。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一類阱延伸至在第一方向上彼此對準的第一阱帶單元的全部和第二阱帶單元的全部。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中：

所述第一阱帶單元和所述第二阱帶單元包括具有與任何位單元的布局和任何鄰接的偽單元的布局不同的布局的N型阱帶單元，并且包括在所述N型阱中的N+半導體材料，所述N+半導體材料電連接至第一電源線以提供固定電位中的一個，并且

所述第一阱帶單元和所述第二阱帶單元包括具有與任何位單元的布局和任何鄰接的偽單元的布局不同的布局的P型阱帶單元，并且包括在所述N型阱外側的區域中的P+半導體材料，所述P+半導體材料電連接至與所述第一電源線電隔離的第二電源線以提供所述固定電位中的另一個。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，所述第一多個位單元與所述第二多個位單元之間的每一個阱帶單元都為N型阱帶單元，或者所述第一多個位單元與所述第二多個位單元之間的每一個阱帶單元都為P型阱帶單元。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，每一個鄰接的偽單元在與第一方向垂直的第二方向上的長度與所述第一多個位單元和所述第二多個位單元中的一個多個位單元的長度基本相同，并且每一個鄰接的偽單元在所述第一方向上的寬度等于或小于所述第一多個位單元和所述第二多個位單元中的所述一個多個位單元的寬度的2倍。