[發明專利]一種包含基準電壓電路的電源模塊

在審

• 申請號: 201711161314.X
• 申請日: 2017-05-09
• 公開（公告）號: CN107894805A
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發明（設計）人: 何金昌;加文威廉姆斯
• 申請（專利權）人: 何金昌
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本申請為分案申請，原申請申請號：201710322269.5；發明創造名稱：一種帶有補償回路的基準電壓電路及電源模塊；申請日為2017 年05月09日。

技術領域

本發明涉及模擬電路技術領域，尤其涉及的是一種包含基準電壓電路的電源模塊。

背景技術

基準電壓產生電路是模擬電路設計、混合信號電路設計以及數字設計中的基本模塊單元，它的作用是為系統提供一個不隨溫度及供電電壓變化的基準電壓。在基準電壓產生電路中，溫度系數(TC， Temperature Coefficient)和電源抑制比(PSRR，Power Supply Rejection Ratio)這兩個參數對電源性能的好壞起著決定性的作用，高精度、低功耗、高電源抑制比、低溫度系數的基準電壓產生電路對于整個電路來說至關重要。傳統的帶隙基準電壓通過將兩個具有正負溫度系數的電壓進行線性疊加即可得到零溫度系數的基準電壓。兩個雙極型三極管的基極-發射極電壓的差值是與絕對溫度成正比的，雙極晶體管的基極-發射極電壓具有負溫度系數性質，利用這兩種不同性質的電壓配以一定的比例得到與溫度變化無關的基準電壓。由于傳統的基準電壓產生電路只進行線性補償，精度差，在溫度范圍變化較大時，產生的電壓通常不太理想，尤其是在一些對電壓精度要求比較高的電路中，線性補償后產生的電壓遠遠不能滿足要求。基于此，本發明提供了一種具有更高精度、更高PSRR的低溫度系數基準電壓產生電路。另外，本發明還提供了一種電源模塊，可用于將輸入交流電轉化為穩定的直流電壓輸出。

發明內容

本發明的目的是為了解決現有基準電壓產生電路電源抑制比低、溫度系數大的問題，提供了一種更高精度、高電源抑制比和低溫度系數的基準電壓電路及電源模塊。

本發明提供了一種包含基準電壓電路的電源模塊，所述電源模塊包括基準電壓電路，還包括整流電路、濾波器電路，所述整流電路連接濾波器電路，所述濾波器電路連接基準電壓電路，所述基準電壓電路連接負載；所述基準電壓電路包括啟動電路和基準電壓產生電路；所述啟動電路包括：第十二MOS管M12，第十三MOS管M13，第十四MOS管M14，第十五MOS管M15，第十六MOS管M16，第二電容C2，第十七MOS管M17；其中，第十七MOS管M17、第十二MOS管M12的源極連接電壓，第十七MOS管M17的柵極接地，第十七MOS管M17的漏極連接第十三MOS管M13的漏極以及第十五MOS管M15的柵極，第十三MOS管M13的源極接地，第十二 MOS管M12的柵極連接第二電容C2的第一端、第十五MOS管M15 的漏極以及第十六MOS管M16的柵極，第二電容C2的第二端連接電壓，第十二MOS管M12的漏極連接第十四MOS管M14的漏極并連接第十四MOS管M14的柵極以及第十三MOS管M13的柵極，第十四MOS管M14的源極接地，第十五MOS管M15的源極接地，第十六MOS管M16的源極連接電壓，第十六MOS管M16的漏極作為啟動電路的輸出；所述基準電壓產生電路包括：第一MOS管M1，第二MOS管M2，第三MOS管M3，第四MOS管M4，第五MOS 管M5，第六MOS管M6，第七MOS管M7，第八MOS管M8，第九MOS管M9，第十MOS管M10，第十一MOS管M11，第一電阻 R1，第二電阻R2，第三電阻R3，第四電阻R4，第五電阻R5，第六電阻R6，第七電阻R7，第八電阻R8，第一電容C1，第一三極管Q1，第二三極管Q2，第三三極管Q3；其中，第一MOS管M1、第三MOS 管M3、第五MOS管M5的源極連接啟動電路的輸出端即第十六MOS 管M16的漏極，第一MOS管M1的柵極連接第一MOS管M1的漏極、第二MOS管M2的源極以及第三MOS管M3和第五MOS管 M5的柵極，第二MOS管M2的柵極連接第四MOS管M4、第六MOS 管M6的柵極，第三MOS管M3的漏極連接第四MOS管M4的源極，第五MOS管M5的漏極連接第六MOS管M6的源極，第二MOS管 M2的漏極連接第一電阻R1的第一端，第一電阻R1的第二端接地，第四MOS管M4的漏極連接第七MOS管M7、第八MOS管M8的源極，第七MOS管M7、第八MOS管M8的漏極分別連接第九MOS 管M9、第十MOS管M10的漏極，第九MOS管M9、第十MOS管 M10的源極接地，第九MOS管M9、第十MOS管M10的柵極相連并連接第九MOS管M9的漏極，第七MOS管M7的柵極連接第二電阻R2的第一端和第六電阻R6的第一端，第二電阻R2的第二端連接第三電阻R3的第一端和第四電阻R4的第一端，第三電阻R3的第二端連接第六MOS管M6的漏極和第三三極管Q3的集電極，第四電阻R4的第二端連接第八MOS管M8的柵極和第一三極管Q1的發射極，第一三極管Q1的集電極和基極接地，第六電阻R6的第二端連接第三三極管Q3的基極和第七電阻R7的第一端，第七電阻R7的第二端連接第二三極管Q2的發射極，第二三極管Q2的集電極和基極接地，第三三極管Q3的發射極連接電阻第八電阻R8的第一端，電阻第八電阻R8的第二端接地，第十一MOS管M11的柵極連接第八 MOS管M8的漏極和第五電阻R5的第一端，第五電阻R5的第二端連接第一電容C1的第一端，第一電容C1的第二端連接第十一MOS 管M11的漏極和第六MOS管M6的漏極，第十一MOS管M11的源極接地，第六MOS管M6的漏極電壓即為輸出電壓；所述第一MOS 管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管 M8、第十七MOS管M17、第十二MOS管M12、第十六MOS管 M16為PMOS管，所述第九MOS管M9、第十MOS管M10、第十一MOS管M11、第十三MOS管M13、第十四MOS管M14、第十五MOS管M15為NMOS管。所述第一三極管Q1、第二三極管Q2 為PNP管，所述第三三極管Q3為NPN管。