[發明專利]多線TRL校準方法及終端設備有效
| 申請號: | 201711159640.7 | 申請日: | 2017-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN108107392B | 公開(公告)日: | 2020-03-24 |
| 發明(設計)人: | 王一幫;欒鵬;吳愛華;梁法國;霍燁 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第十三研究所 |
| 主分類號: | G01R35/00 | 分類號: | G01R35/00 |
| 代理公司: | 石家莊國為知識產權事務所 13120 | 代理人: | 付曉娣 |
| 地址: | 050000 *** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多線 trl 校準 方法 終端設備 | ||
本發明提供了多線TRL校準方法及終端設備,該方法包括:對TRL校準過程中的誤差進行分析,建立用于求解傳播常數和校準常數的誤差分析模型;利用多根、冗余的傳輸線作為標準覆蓋每一個頻點,根據有效相移規則選取公共線,并將公共線與其它每個傳輸線組成線對,每組線對之間形成獨立測量,并根據所述誤差分析模型得到多組傳播常數和校準常數的觀測值;通過預處理方法對傳輸線的測量結果進行處理,并根據處理結果更新公共傳輸線。上述方法及終端設備,能夠提高在片S參數測試準確度。
技術領域
本發明屬于晶原級半導體器件微波特性測量技術領域,尤其涉及多線TRL校準方法及終端設備。
背景技術
微電子行業中配備的大量“在片S參數測試系統”在使用前,需要使用在片校準件進行矢量校準,校準件的類型包括SOLT(Short-Open-Load-Thru)、TRL(Thru-Reflect-Line)、LRRM(Line-Reflect-Reflect-Match)等。影響在片矢網校準準確度的原因主要有兩種:一是系統參考阻抗引入的系統誤差,二是探針與被測件接觸的重復性誤差。
SOLT校準參考阻抗為負載(Load),并設計直通線的特征阻抗與之相等,但事實是SOLT校準覆蓋頻段較寬,直通線的特征阻抗具有一定的頻響,加之短路、開路校準件的定義方式不夠完善,導致校準結果精度不高,一直停留在工業應用方面。
TRL校準中使用了易于加工制作的傳輸線標準,并且校準件的定義中采用長度,其精度得到一定程度提高。TRL校準的參考阻抗為傳輸線的特征阻抗,在設計傳輸線尺寸時以仿真結果50歐姆作為標準,但這忽略了仿真模型和頻響帶來的影響,其校準準確程度受制于傳輸線特征阻抗與50歐姆接近程度。TRL校準無法得到傳輸線特征阻抗,也就無法將測量的被測件S參數變換到某一阻抗下。
發明內容
有鑒于此,本發明實施例提供了多線TRL校準方法及終端設備,以解決現有技術中多線TRL校準S參數測量精度較低的問題。
本發明實施例的第一方面提供了一種多線TRL校準方法,包括:
對TRL校準過程中的誤差進行分析,建立用于求解傳播常數和校準常數的誤差分析模型;
利用多根、冗余的傳輸線作為標準覆蓋每一個頻點,根據有效相移規則選取公共線,并將公共線與其它每個傳輸線組成線對,每組線對之間形成獨立測量,并根據所述誤差分析模型得到多組傳播常數和校準常數的觀測值;
通過預處理方法對傳輸線的測量結果進行處理,并根據處理結果更新公共傳輸線。
可選的,所述對TRL校準過程中的誤差進行分析,建立用于求解傳播常數和校準常數的誤差分析模型的過程為:
矢網測量的第i個校準件的級聯傳輸矩陣Mi為
其中,Ti為校準件i的實際傳輸矩陣,X、Y為待求的誤差網絡傳輸矩陣,即校準常數;表示將信號傳輸方向與Y的信號傳輸方向反向;
在理想情況下,第i條傳輸線標準的傳輸矩陣Ti為
式中,γ是傳播常數,li為第i個傳輸線標準的長度;
考慮到探針與校準件接觸重復性等隨機誤差,對Ti修正為:
其中,δ1i為端口1不理想引起的隨機誤差,δ2i為端口2不理想引起的隨機誤差,且δ1i,δ2i中的元素值遠小于1;
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