[發明專利]一種金納米花修飾電極、制備方法及其應用

在審

• 申請號: 201711159237.4
• 申請日: 2017-11-20
• 公開（公告）號: CN107991362A
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發明（設計）人: 李永新;錢媛媛;湯浩然;楊程
• 申請（專利權）人: 安徽師范大學
• 主分類號: G01N27/327
• 分類號: G01N27/327;G01N27/48
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產權代理有限公司34107
• 代理人: 任晨晨

1.一種金納米花修飾電極的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

1)、制備金納米盤電極；

2)、將步驟1)制備的金納米盤電極置于L-半胱氨酸溶液中浸泡，晾干，即制得L-半胱氨酸膜修飾的金納米電極，記為L-Cys/AuNEs；

3)、將步驟2)制備的L-Cys/AuNEs置于氯金酸溶液中，用循環伏安法掃描，制得金納米花修飾電極，記作AuNFs/L-Cys/AuNEs。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟2)中所述浸泡，溫度為22-28℃。

3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，步驟2)中所述L-半胱氨酸溶液是指8-15mmol/L的L-半胱氨酸的PBS溶液。

4.根據權利要求1或3所述的制備方法，其特征在于，步驟2)中所述浸泡時間為8-15h。

5.根據權利要求1或4所述的制備方法，其特征在于，步驟3)中所述氯金酸溶液濃度為0.15-0.35mg/mL。

6.根據權利要求1或5所述的制備方法，其特征在于，步驟3)中所述循環伏安法具體為：用循環伏安法在-0.2至+0.6V的電位范圍內以50mV/s的掃速掃描1-3圈，制得金納米花修飾電極，記作AuNFs/L-Cys/AuNEs。

7.一種采用權利要求1-6任一項所述的方法制備的金納米花修飾電極。

8.一種權利要求7所述的金納米花修飾電極對異煙肼的電催化氧化應用。

9.一種權利要求7所述的金納米花修飾電極檢測異煙肼的應用。

10.根據權利要求9所述的應用，其特征在于，具體檢測方法為：將上述制備的AuNFs/L-Cys/AuNEs納米電極置于5mL 0.1mol/L的pH＝7的PBS溶液中，三電極系統，AuNFs/L-Cys/AuNEs納米電極為工作電極，Ag/AgCl為參比電極，Pt絲為對電極，用計時電流法，電位設置為0.28V，向PBS中加入異煙肼，獲得不同濃度的異煙肼檢測體系，分別進行檢測，構建異煙肼濃度與電流信號的線性關系；實現對異煙肼的檢測。