[發明專利]一種具有輸出大電流的OFET管及其制備方法

有效

• 申請號: 201711157659.8
• 申請日: 2017-11-20
• 公開（公告）號: CN107845728B
• 公開（公告）日: 2019-08-20
• 發明（設計）人: 周建林;倪堯;周鑫;余江鵬;甘平
• 申請（專利權）人: 重慶大學
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/40
• 代理公司: 重慶大學專利中心 50201
• 代理人: 唐開平

1.一種具有輸出大電流的OFET管，包括柵極(1)、絕緣層(2)、有源層(3)、源極(4)和漏極(5)，其特征是：有源層(3)包括酞菁銅(31)，在酞菁銅(31)中夾有兩層氧化鉬(32)。

2.一種制備權利要求1所述OFET管的方法，其特征是，包括以下步驟：

步驟1、ITO基片的預處理：用鍍有ITO的玻璃基片作為襯底，ITO作為柵極；將切割好的ITO基片分別置于清洗液、去離子水、氯仿、丙酮和異丙醇中各超聲清洗，用氮氣槍吹干基片后用紫外臭氧清洗，再將基片置于真空烘干箱中烘干，轉而在熱環境下干燥；

步驟2、在基片上旋涂絕緣層：用聚甲基丙烯酸甲酯作為絕緣層；將PMMA溶于苯甲醚中，配置濃度為4～10wt％的PMMA溶液，將溶有PMMA的苯甲醚溶液旋涂在ITO基片上，在真空干燥箱內退火，然后取出用氮氣槍吹干；

步驟3、蒸鍍多夾層復合有源層：以CuPc夾有兩層MoO₃作為有源層，將ITO基片置于真空蒸鍍儀中，在真空壓力不大于3×10-4Pa下，在基片溫度為室溫的條件下，以小于0.2nm/秒的沉積速率蒸鍍第一層CuPc，以不大于0.2nm/秒的沉積速率蒸鍍第一層MoO₃，再以小于0.2nm/秒的沉積速率蒸鍍第二層CuPc，以不大于0.2nm/秒的沉積速率蒸鍍第二層MoO₃，最后以小于0.2nm/秒的沉積速率蒸鍍第三層CuPc；

步驟4、源漏電極的制備：用金作為源漏電極，在真空壓力不大于3×10^-4Pa下，在基片溫度為室溫的條件下，以小于0.2nm/秒的速率蒸鍍金作為電極，制得OFET管。

3.根據權利要求2所述OFET管的方法，其特征是：在步驟2中，所述退火溫度為120℃。