[發(fā)明專利]一種基于p?6p/C8?BTBT復合材料的OFET管及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711157046.4
• 申請日: 2017-11-20
• 公開（公告）號: CN107871819A
• 公開（公告）日: 2018-04-03
• 發(fā)明（設計）人: 周建林;倪堯;余江鵬;周鑫;甘平
• 申請（專利權）人: 重慶大學
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/10
• 代理公司: 重慶大學專利中心50201
• 代理人: 唐開平

1.一種基于p-6p/C8-BTBT復合材料的OFET管，包括柵極（1）、絕緣層（2）、有源層（3）、源極（4）和漏極（5），其特征是：有源層（3）為p-6p/C8-BTBT復合材料，在絕緣層（2）表面上覆蓋p-6p層（31），在p-6p層（31）上結晶C8-BTBT層（32），形成為有序晶體狀有機薄膜。

2.根據(jù)權利要求1所述的基于p-6p/C8-BTBT復合材料的OFET管，其特征是：所述的p-6p/C8-BTBT復合材料中p-6p厚度不大于1nm。

3.一種制備權利要求1所述OFET管的方法，其特征是，包括以下步驟：

步驟1、ITO基片的預處理：用鍍有ITO的玻璃基片作為襯底，ITO作為柵極；將切割好的ITO基片分別置于清洗液、去離子水、氯仿、丙酮和異丙醇中各超聲清洗，用氮氣槍吹干基片后用紫外臭氧清洗，再將基片置于真空烘干箱中烘干，轉而在熱環(huán)境下干燥；

步驟2、在基片上旋涂絕緣層：用PMMA作為絕緣層；將PMMA溶于苯甲醚中，配置濃度為4~10wt%的PMMA溶液，將溶有PMMA的苯甲醚溶液旋涂在ITO基片上，在真空干燥箱內退火，然后取出用氮氣槍吹干；

步驟3、蒸鍍p-6p/C8-BTBT復合材料：以p-6p/C8-BTBT復合材料為有源層，將ITO基片置于真空蒸鍍儀中，在真空壓力不大于3×10^-4Pa下，在ITO基片溫度為室溫的條件下，以小于0.2nm/秒的沉積速率蒸鍍n型有機半導體p-6p，再以不大于0.2nm/秒的沉積速率蒸鍍p型有機半導體C8-BTBT；

步驟4、源漏電極的制備：用金作為源漏電極，在真空壓力不大于3×10^-4Pa下，在基片溫度為室溫的條件下，以小于0.2nm/秒的速率蒸鍍金作為電極，制得OFET管。

4.根據(jù)權利要求3所述OFET管的方法，其特征是，在步驟2中，所述退火溫度為120℃。