[發(fā)明專利]采用分集接收技術(shù)的可見光通信接收機專用芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711156140.8 | 申請日: | 2017-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN108023549B | 公開(公告)日: | 2020-12-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 毛陸虹;韓東群 | 申請(專利權(quán))人: | 天津大學(xué) |
| 主分類號: | H03F1/02 | 分類號: | H03F1/02;H03F1/48;H03F3/04;H03F3/45;H04B10/116 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限責任專利代理事務(wù)所 12201 | 代理人: | 杜文茹 |
| 地址: | 300192*** | 國省代碼: | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 采用 分集 接收 技術(shù) 可見 光通信 接收機 專用 芯片 | ||
1.一種采用分集接收技術(shù)的可見光通信接收機專用芯片,包括有分別接收兩路光信號的第一光電探測器(D1)和第二光電探測器(D2),其特征在于,所述的第一光電探測器(D1)和第二光電探測器(D2)的輸出端分別對應(yīng)連接一個用于將經(jīng)過光探測器得到的電流信號轉(zhuǎn)化為電壓信號并進行放大的第一跨阻放大器(1)和第二跨阻放大器(2),所述第一跨阻放大器(1)和第二跨阻放大器(2)的輸出端共同連接用于將雙信道信號合成為一路信號的加法合成器(3)的輸入端,所述加法合成器(3)的輸出端依次連接:用于將加法合成器(3)輸出的信號轉(zhuǎn)換為差分信號的單端轉(zhuǎn)雙端電路(4)、用于進行高頻補償?shù)暮缶怆娐罚?)、用于進行信號放大的限幅放大器(6)、用于將雙端信號轉(zhuǎn)換成單端信號的雙端轉(zhuǎn)單端電路(7)以及用作信號判決的反相器(8),所述反相器(8)的輸出端構(gòu)成可見光通信接收機專用芯片的輸出端,還設(shè)置有起到反饋調(diào)節(jié)作用以穩(wěn)定電路直流工作點的直流偏移消除電路(9),所述直流偏移消除電路(9)的輸入端連接所述限幅放大器(6)的輸出端,所述直流偏移消除電路(9)的輸出端連接所述后均衡電路(5)的輸入端;
所述的第一跨阻放大器(1)和第二跨阻放大器(2)結(jié)構(gòu)相同,均包括有:第一PMOS管(Mp1)、第二PMOS管(Mp2)、第一NMOS管(Mn1)、第二NMOS管(Mn2)、第三NMOS管(Mn3)、第四NMOS管(Mn4)和第五NMOS管(Mn5),所述第一PMOS管(Mp1)的源極、第四NMOS管(Mn4)的柵極、第二PMOS管(Mp2)的源極以及第五NMOS管(Mn5)的柵極均連接電源,所述第一PMOS管(Mp1)的柵極連接第四NMOS管(Mn4)的漏極,所述第一PMOS管(Mp1)的漏極、第四NMOS管(Mn4)的源極、第一NMOS管(Mn1)的漏極以及第三NMOS管(Mn3)的柵極共同構(gòu)成跨阻放大器的輸出端(Out1),所述第二PMOS管(Mp2)的柵極連接第五NMOS管(Mn5)的漏極,所述第二PMOS管(Mp2)的漏極、第五NMOS管(Mn5)的源極和第一NMOS管(Mn1)的柵極均連接第二NMOS管(Mn2)的漏極,所述第一NMOS管(Mn1)的源極、第二NMOS管(Mn2)的柵極和第三NMOS管(Mn3)的漏極共同構(gòu)成輸入端(In1)連接第一光電探測器(D1)或第二光電探測器(D2)的輸出端,所述第二NMOS管(Mn2)的源極和第三NMOS管(Mn3)的源極均接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用分集接收技術(shù)的可見光通信接收機專用芯片,其特征在于,所述的加法合成器(3)包括有第六NMOS管(Mn6)、第七NMOS管(Mn7)和第八NMOS管(Mn8),所述第六NMOS管(Mn6)的源極接地,柵極構(gòu)成加法合成器一個輸入端(In2)連接第一跨阻放大器(1)和第二跨阻放大器(2)中的一個輸出端,漏極連接第七NMOS管(Mn7)的源極,第七NMOS管(Mn7)的漏極和第八NMOS管(Mn8)的源極共同構(gòu)成加法合成器的輸出端(Out2),所述第七NMOS管(Mn7)的柵極連接偏置電壓(Bias),所述第八NMOS管(Mn8)的柵極構(gòu)成加法合成器的另一個輸入端(In3)連接第一跨阻放大器(1)和第二跨阻放大器(2)中的另一個輸出端,所述第八NMOS管(Mn8)的漏極連接電源。
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