[發明專利]中紅外光的全譜測量方法和相應的裝置有效
| 申請號： | 201711155568.0 | 申請日： | 2017-11-20 |
| 公開（公告）號： | CN109813670B | 公開（公告）日： | 2020-11-10 |
| 發明（設計）人： | 張佳;朱江瑞;李剛;李運良 | 申請（專利權）人： | 中國科學院物理研究所 |
| 主分類號： | G01N21/35 | 分類號： | G01N21/35 |
| 代理公司： | 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 紅外光 測量方法 相應 裝置 | ||
1.一種中紅外光的全譜測量方法，包括如下步驟：
步驟一：使中紅外光與泵浦光同時投射到至少兩個上轉換晶體上發生和頻，將所述中紅外光上轉換為可見光，其中，所述至少兩個上轉換晶體的上轉換波段的總和覆蓋所述中紅外光的全譜；
步驟二：對轉換后的可見光進行探測；以及
步驟三：基于所述可見光的探測結果得到所述中紅外光的全譜。
2.根據權利要求1所述的中紅外光的全譜測量方法，其中，所述中紅外光的全譜波段為3μm～10μm。
3.根據權利要求1所述的中紅外光的全譜測量方法，其中，所述至少兩個上轉換晶體中的一個為MgO:LiNbO3晶體，另一個為AgGaGeS4晶體。
4.根據權利要求3所述的中紅外光的全譜測量方法，其中，在步驟二中，采用線陣CMOS探測器對轉換后的可見光進行探測。
5.根據權利要求4所述的中紅外光的全譜測量方法，其中，所述步驟二包括如下子步驟：
2-1：將所述可見光進行分光；以及
2-2：分光后的可見光通過所述線陣CMOS探測器，從而得到可見光的光強Isignal隨像素點P的變化關系。
6.根據權利要求5所述的中紅外光的全譜測量方法，其中，所述步驟三包括如下子步驟：
3-1：利用中紅外光的頻率窗口中的至少兩個特征吸收標準樣擬合中紅外光的波長λMIR與像素點P的函數關系；
3-2：根據可見光的光強Isignal隨像素點P的變化關系以及中紅外光的波長λMIR與像素點P的函數關系得到中紅外光的光強IMIR與中紅外光的波長λMIR的關系。
7.根據權利要求6所述的中紅外光的全譜測量方法，其中，所述函數關系為線性函數關系或二次函數關系。
8.一種中紅外光的全譜測量裝置，包括：
上轉換部件，其包括至少兩個上轉換晶體，所述至少兩個上轉換晶體的上轉換波段的總和覆蓋中紅外光的全譜，其中，中紅外光與泵浦光同時投射到所述至少兩個上轉換晶體上發生和頻，將所述中紅外光上轉換為可見光；
可見光探測部件，其包括光譜儀和可見光探測器，其中，所述可見光探測器包括可見光探測模塊和轉換模塊，所述可見光探測模塊用于探測被所述光譜儀分束的可見光，所述轉換模塊用于將所述可見光探測模塊的輸出轉化為中紅外光的光譜。
9.根據權利要求8所述的中紅外光的全譜測量裝置，其中，所述可見光探測模塊的輸出為可見光的光強Isignal隨像素點P的變化關系。
10.根據權利要求9所述的中紅外光的全譜測量裝置，其中，所述轉換模塊還包括擬合模塊，用于擬合中紅外光的波長與像素點的函數關系。
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