[發(fā)明專利]提高晶圓混合鍵合強(qiáng)度的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711154806.6
• 申請(qǐng)日: 2017-11-20
• 公開（公告）號(hào): CN107993927A
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丁滔滔;郭帥;王家文;王孝進(jìn);王家友;李春龍;邢瑞遠(yuǎn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L21/18
• 分類號(hào): H01L21/18;H01L21/324
• 代理公司: 北京辰權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11619
• 代理人: 劉廣達(dá)

1.一種提高晶圓混合鍵合強(qiáng)度的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供需要進(jìn)行鍵合的晶圓；

將所述晶圓的鍵合界面對(duì)準(zhǔn)后，對(duì)所述晶圓進(jìn)行鍵合工藝和熱退火工藝；

其中，在進(jìn)行所述鍵合工藝的過程中，對(duì)所述晶圓進(jìn)行熱壓，并且在進(jìn)行熱退火工藝的過程中，繼續(xù)對(duì)所述晶圓進(jìn)行加壓。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圓通過所述卡盤夾緊。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，通過所述卡盤向所述晶圓施加壓力。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圓是半導(dǎo)體。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圓個(gè)數(shù)為兩個(gè)。

如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對(duì)所述晶圓加壓具體為：向所述晶圓施加大小相等方向相反且均指向所述鍵合界面的力。