[發(fā)明專利]一種高純硫化亞銅的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711152135.X | 申請(qǐng)日: | 2017-11-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107673396B | 公開(公告)日: | 2019-02-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王瑞祥;趙鑫;李棉;廖春發(fā);梁凱;程琍琍;李啊林 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江西理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C01G3/12 | 分類號(hào): | C01G3/12 |
| 代理公司: | 贛州凌云專利事務(wù)所 36116 | 代理人: | 曾上;盧和炳 |
| 地址: | 341000 江*** | 國省代碼: | 江西;36 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 硫化亞銅 制備 硫化銅粉末 硫化銅 高純 高溫熔煉 粒度均勻 溶液反應(yīng) 研磨 保護(hù)層 硅酸鈉 硫化鈉 硫酸銅 球磨 坩堝 配制 沉淀 破碎 | ||
本發(fā)明公開了一種高純硫化亞銅的制備方法,首先將硫酸銅和硫化鈉配制為溶液反應(yīng)沉淀后得到硫化銅,將硫化銅經(jīng)過濾、真空干燥和研磨后得到硫化銅粉末,其次將硫化銅粉末置于坩堝內(nèi),在硅酸鈉保護(hù)層和氮?dú)鈿夥盏臈l件下進(jìn)行高溫熔煉,制備出純凈的硫化亞銅,經(jīng)破碎球磨后得到粒度均勻的硫化亞銅粉末。本發(fā)明操作簡(jiǎn)單,成本低,過程易于控制,制備的硫化亞銅純度高,雜質(zhì)少。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及硫化亞銅的制備技術(shù),具體公開了一種用硫酸銅和硫化鈉作為原料制備硫化亞銅的方法。
背景技術(shù)
硫化亞銅(Cu2S)在自然界中以輝銅礦的形式存在,是含銅量成分較高的煉銅工業(yè)原料之一,在造锍熔煉過程中Cu2S與FeS和其他少量的金屬硫化物形成重要的冰銅熔體,同時(shí)硫化亞銅作為一種新型的半導(dǎo)體物質(zhì),因其具有優(yōu)良的導(dǎo)電性、催化性和光電性能而廣泛應(yīng)用于催化劑的生產(chǎn)、太陽能電池和光電器件材料等領(lǐng)域。
目前制備硫化亞銅的方法有很多種,如銅硫混合真空加熱法、氫和硫化氫混合氣體還原硫化銅、硫酸銅和硫代硫酸鈉溶液共熱—真空煅燒沉淀制備硫化亞銅前驅(qū)體等方法,上述方法雖然可以制備出硫化亞銅,但是得到的硫化亞銅中含有未反應(yīng)銅,伴隨有一定量的氧化銅或者氧化亞銅,降低了硫化亞銅的純度,且工藝過程相對(duì)繁瑣,成本較高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種工藝簡(jiǎn)單、成本低的高純硫化亞銅的制備方法,采用反應(yīng)沉淀—高溫熔煉的技術(shù),以分析純硫酸銅和硫化鈉作為原料,將硫酸銅和硫化鈉配置為溶液反應(yīng)沉淀后,得到的硫化銅經(jīng)過濾、真空干燥和研磨后在高溫下熔煉,反應(yīng)結(jié)束后經(jīng)破碎球磨得到純凈且粒度均勻的硫化亞銅粉末。
本發(fā)明的技術(shù)方案:一種高純硫化亞銅的制備方法,包括以下步驟:(1)將分析純硫酸銅和硫化鈉各配置成溶液反應(yīng)沉淀,過濾后經(jīng)真空干燥、研磨得到硫化銅粉末;(2)將步驟(1)得到的硫化銅粉末置于剛玉坩堝內(nèi)壓實(shí),在分析純硅酸鈉熔煉保護(hù)層和氮?dú)鈿夥盏臈l件進(jìn)行熔煉,溫度由室溫升高至850~1300℃,在850~1300℃溫度保溫1~2小時(shí);(3)熔煉結(jié)束溫度降低至室溫后,將步驟(2)得到的硫化亞銅經(jīng)破碎球磨得到粒度均勻的硫化亞銅粉末。
步驟(1)中分析純CuSO4·5H2O和Na2S·9H2O各配制成體積為500mL、濃度均為0.2~1mol/L的溶液;然后將Na2S溶液緩慢加入到CuSO4溶液中至混和溶液藍(lán)色消失。
所述CuSO4溶液和Na2S溶液的濃度均優(yōu)選為0.2~0.5mol/L。
步驟(1)中混和溶液時(shí),CuSO4溶液置于恒溫水浴鍋內(nèi),在溫度為20~50℃、轉(zhuǎn)速為200~300r/min的條件下加入Na2S溶液。
步驟(2)中分析純硅酸鈉添加到硫化銅粉末的上面,使硫化銅與硅酸鈉在剛玉坩堝內(nèi)的厚度比在1:1~1:3之間。
硫化銅與硅酸鈉的厚度比優(yōu)選為1:1.5。
步驟(2)中熔煉升溫優(yōu)選為兩個(gè)階段:第一階段由室溫升高到850℃,在850℃溫度保溫30分鐘,使硅酸鈉完全變成熔體覆蓋在硫化銅粉末表面,防止生成氧化銅、氧化亞銅等其他物質(zhì);第二階段由850℃升高到1100℃~1300℃之間,在1100℃~1300℃溫度保溫1~1.5小時(shí)。
步驟(2)中氮?dú)獗Wo(hù)在熔煉開始前通入,使得高溫爐內(nèi)不存在氧氣,控制氮?dú)馔ㄈ肓髁繛?~5L/min,且氮?dú)獗Wo(hù)持續(xù)到溫度降低到室溫。
步驟(3)中將步驟(2)得到的硫化亞銅經(jīng)破碎后在滾筒球磨機(jī)里球磨,采用氧化鋯球珠,球磨時(shí)間2小時(shí),得到硫化亞銅粉末的粒度均在74μm。
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