[發明專利]一種利用羰基法生產鎳導電薄膜的方法

在審

• 申請號: 201711148963.6
• 申請日: 2017-11-17
• 公開（公告）號: CN108010636A
• 公開（公告）日: 2018-05-08
• 發明（設計）人: 王永前;肖冬明;馬國生;王良;羅世銘;張華;劉洪彪;孫順盈;陳菊華;李志鵬;陳旭軍;白玉婷
• 申請（專利權）人: 金川集團股份有限公司
• 主分類號: H01B13/00
• 分類號: H01B13/00
• 代理公司: 甘肅省知識產權事務中心 62100
• 代理人: 孫惠娜

一種利用羰基法生產鎳導電薄膜的方法,采用羰基鎳熱分解的工藝制取鎳導電薄膜，具體方法如下：羰基鎳由儲罐進入蒸發器中，對蒸發器進行加熱，將羰基鎳進行蒸發，羰基鎳蒸汽和CO氣體按一定比例進行混合后通入羰基鎳分解容器中，羰基鎳分解容器內安裝被加熱的基體材料，反應得到鎳導電薄膜。本發明可以得到一定純度、致密度的鎳導電薄膜。根據羰基分解沉積的特點，易制成薄膜，易導電金屬Cu、Ag及Au很難制造成薄膜，利用本方法可以在不同基體上，制取指定紋理的金屬薄膜，方法生產的鎳導電薄膜電導率較好。

技術領域

本發明屬于鎳導電薄膜技術領域，具體涉及一種利用羰基法生產鎳導電薄膜的方法。

背景技術

鎳導電薄膜在各個技術領域的應用越來越廣泛，在導體（觸點）、電阻器、電容器部件、電感以及民用電磁屏蔽領域和軍事領域中的雷達波屏蔽使軍事裝備隱身等領域廣泛應用。但在生產中采用電鍍、物理沉積等方法，生成的導電薄膜純度不高，致密性偏低，成本較高，因此通過新工藝的方法制備導電薄膜是新的發展趨勢。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是通過現有技術中的缺點而提供一種利用羰基法生產鎳導電薄膜的方法，本發明是利用羰基鎳氣體在一定溫度的基體材料上進行分解沉積形成鎳基導電薄膜的方法。

為解決本發明的技術問題采用如下技術方案：

一種利用羰基法生產鎳導電薄膜的方法,采用羰基鎳熱分解的工藝制取鎳導電薄膜，具體方法如下：羰基鎳由儲罐進入蒸發器中，對蒸發器進行加熱，將羰基鎳進行蒸發，羰基鎳蒸汽和CO氣體按一定比例進行混合后通入羰基鎳分解容器中，羰基鎳分解容器內安裝被加熱的基體材料，反應得到鎳導電薄膜。

其中通入羰基鎳分解容器的氣體流速為1-5cm/s。

其中羰基鎳分解容器的內部壓力為1-2mmHg，

其中羰基鎳蒸汽與CO的體積比為1：5-10。

其中基體材料的溫度為165℃-185℃。

其中羰基鎳蒸汽和CO氣體在羰基鎳分解容器的反應時間為15-20min。

其中基體材料表面進行潔凈處理。

所述羰基鎳分解容器的橫截面為方形，進料口斜向下，出口水平，基體材料位于羰基鎳分解容器底部，羰基鎳分解容器上部設置基體材料的加熱裝置，基體材料外套進行循環水冷卻。

本發明可以得到一定純度、致密度的鎳導電薄膜。根據羰基分解沉積的特點，易制成薄膜，易導電金屬Cu、Ag及Au很難制造成薄膜，利用本方法可以在不同基體上，制取指定紋理的金屬薄膜，該方法生產的鎳導電薄膜電導率較好。

具體實施方式

實施例1

一種利用羰基法生產鎳導電薄膜的方法,采用羰基鎳熱分解的工藝制取鎳導電薄膜，具體方法如下：羰基鎳由儲罐進入蒸發器中，對蒸發器進行加熱，將羰基鎳進行蒸發，羰基鎳蒸汽和CO氣體按一定比例進行混合后通入羰基鎳分解容器中，其中羰基鎳蒸汽與CO的體積比為1:5，羰基鎳分解容器內安裝被加熱的、表面進行潔凈處理的基體材料，反應得到鎳導電薄膜。其中控制羰基鎳分解容器內壓力為1mmHg，基體材料表面的溫度為165℃，通入羰基鎳分解容器的氣體流速為2cm/s，羰基鎳蒸汽和CO氣體在羰基鎳分解容器的反應時間為15min，生成導電薄膜的電導率γ?10-4為15Ω/cm，表面微觀結構致密光滑。

實施例2