[發(fā)明專利]OLED顯示器及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711148913.8 | 申請日: | 2017-11-17 |
| 公開(公告)號: | CN107731883A | 公開(公告)日: | 2018-02-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 方俊雄;吳元均 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所44265 | 代理人: | 林才桂,聞盼盼 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | oled 顯示器 及其 制作方法 | ||
1.一種OLED顯示器的制作方法,其特征在于,包括:制作OLED基板(80)的步驟及對OLED基板(80)進(jìn)行封裝的步驟,其中,制作OLED基板(80)的步驟包括:提供襯底基板(10),在所述襯底基板(10)上形成呈陣列排布的數(shù)個(gè)陽極(21),在所述襯底基板(10)與數(shù)個(gè)陽極(21)上形成像素定義層(30),在所述像素定義層(30)上形成分別對應(yīng)于數(shù)個(gè)陽極(21)上方的數(shù)個(gè)第一開口(31),分別在所述數(shù)個(gè)陽極(21)上形成數(shù)個(gè)OLED發(fā)光層(40),在所述數(shù)個(gè)OLED發(fā)光層(40)及像素定義層(30)上形成陰極(50),在所述陰極(50)的上方或者下方制作與所述陰極(50)相連的輔助陰極(22);其中,所述數(shù)個(gè)OLED發(fā)光層(40)不相連;所述輔助陰極(22)對應(yīng)于數(shù)個(gè)陽極(21)的間隔區(qū)域設(shè)置。
2.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示器的制作方法,其特征在于,具體包括如下步驟:
步驟1、提供襯底基板(10),在所述襯底基板(10)上形成呈陣列排布的數(shù)個(gè)陽極(21),在所述襯底基板(10)與數(shù)個(gè)陽極(21)上形成像素定義層(30),在所述像素定義層(30)上形成分別對應(yīng)于數(shù)個(gè)陽極(21)上方的數(shù)個(gè)第一開口(31);
步驟2、在所述像素定義層(30)上對應(yīng)于數(shù)個(gè)第一開口(31)的間隔區(qū)域形成倒梯形光刻膠(60);
步驟3、在所述倒梯形光刻膠(60)、像素定義層(30)及數(shù)個(gè)陽極(21)上制備OLED發(fā)光薄膜(41);
步驟4、剝離所述倒梯形光刻膠(60),位于所述倒梯形光刻膠(60)上方的OLED發(fā)光薄膜(41)隨之去除,得到數(shù)個(gè)不相連的OLED發(fā)光層(40);
步驟5、在所述數(shù)個(gè)OLED發(fā)光層(40)及像素定義層(30)上形成整面分布的陰極(50);
步驟6、在所述陰極(50)上制作對應(yīng)于數(shù)個(gè)第一開口(31)的間隔區(qū)域的輔助陰極(22),制得OLED基板(80);
步驟7、對所述OLED基板(80)進(jìn)行封裝后,得到OLED顯示器(200)。
3.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示器的制作方法,其特征在于,具體包括如下步驟:
步驟1、提供襯底基板(10),在所述襯底基板(10)上形成呈陣列排布的數(shù)個(gè)陽極(21),在所述襯底基板(10)與數(shù)個(gè)陽極(21)上形成像素定義層(30),在所述像素定義層(30)上形成分別對應(yīng)于數(shù)個(gè)陽極(21)上方的數(shù)個(gè)第一開口(31)以及位于數(shù)個(gè)第一開口(31)的間隔區(qū)域內(nèi)的第二開口(32);
步驟2、在所述第二開口(32)底部的襯底基板(10)上形成倒梯形光刻膠(60);
步驟3、在所述倒梯形光刻膠(60)、像素定義層(30)及數(shù)個(gè)陽極(21)上制備OLED發(fā)光薄膜(41);
步驟4、剝離所述倒梯形光刻膠(60),位于所述倒梯形光刻膠(60)上方的OLED發(fā)光薄膜(41)隨之去除,得到數(shù)個(gè)不相連的OLED發(fā)光層(40);
步驟5、在所述數(shù)個(gè)OLED發(fā)光層(40)及襯底基板(10)上形成整面分布的陰極(50);
步驟6、在所述陰極(50)上制作對應(yīng)于第二開口(32)的輔助陰極(22),制得OLED基板(80);
步驟7、對所述OLED基板(80)進(jìn)行封裝后,得到OLED顯示器(200)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





