[發明專利]一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201711147209.0 | 申請日: | 2017-11-17 |
| 公開(公告)號: | CN109801939B | 公開(公告)日: | 2021-11-16 |
| 發明(設計)人: | 羅程遠;代青 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭潤湘 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
本發明公開了一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置,以提高顯示基板上薄膜厚度的均一性,從而提高顯示裝置的顯示效果,延長使用壽命。顯示基板包括,基板以及位于基板上的多個像素和像素界定層,其中:所述像素包括長邊側和短邊側;所述像素界定層包括與所述長邊側相鄰的長邊部,以及與所述短邊側相鄰的短邊部,所述長邊部的高度大于所述短邊部的高度。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別是涉及一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機發光二極管,簡稱OLED)顯示裝置由于具有薄、輕、寬視角、主動發光、發光顏色連續可調、成本低、響應速度快、能耗小、驅動電壓低、工作溫度范圍寬、生產工藝簡單、發光效率高及可柔性顯示等優點,已被列為極具發展前景的下一代顯示技術。
OLED顯示基板的成膜工藝中,由于噴墨打印技術具有較高的材料利用率,因此被認為是實現大尺寸、量產化的重要方式。OLED顯示基板的制作過程中,在噴墨打印完成之后,通常需要對基板所處環境進行抽真空處理,以使墨水干燥固化。
上述現有技術存在的缺陷在于,由于墨水在像素界定層開口區的長短軸方向上受到的微作用力和遷移距離不同,從而導致在開口區內形成的膜層厚度不均勻,進而導致顯示裝置的顯示效果和壽命不理想。
發明內容
本發明實施例的目的是提供一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置,以提高顯示基板噴墨打印成膜的厚度的均一性,從而提高顯示裝置的顯示效果,延長使用壽命。
本發明實施例提供一種顯示基板,包括基板以及位于基板上的多個像素和像素界定層,其中:
所述像素包括長邊側和短邊側;
所述像素界定層包括與所述長邊側相鄰的長邊部,以及與所述短邊側相鄰的短邊部,所述長邊部的高度大于所述短邊部的高度。
將像素界定層的長邊部的高度設置為高于短邊部的高度,有利于后續在噴墨打印完成之后,通過真空抽氣去除墨水中的溶劑,使墨水中的溶質干燥形成薄膜的過程中,可以使像素長邊側方向上的氣流流失較快,像素短邊側方向上的氣流流失較慢,從而能夠有效的抵消墨水在干燥過程中的微作用力以及遷移距離的影響,平衡溶質在像素開口區內的再分布過程,達到在像素開口區內形成厚度均勻的膜層,進而提高顯示裝置的顯示效果,延長使用壽命。
優選的,所述長邊側的長度a、所述短邊側的長度b、所述長邊部的高度h1和所述短邊部的高度h2滿足:h1/h2=(1/3~3/4)a/b。當像素界定層的高度滿足該條件時,可以有效的平衡墨水在干燥過程中所受到的微作用力以及遷移距離的影響,從而實現在像素開口區內形成膜層厚度均勻的薄膜。
優選的,所述長邊部的高度為1μm~5μm,所述短邊部的高度為0.5μm~2.5μm。當像素界定層的長邊部的高度和短邊部的高度分別選擇該范圍時,能夠有效的平衡墨水在干燥過程中所受到的微作用力以及遷移距離的影響。
較佳的,所述像素界定層朝向所述像素的壁面為坡面。
較佳的,所述像素界定層朝向所述像素的長邊側的坡面坡角,等于所述像素界定層朝向所述像素的短邊側的坡面坡角。當像素界定層朝向像素的長邊側的坡面坡角與短邊側的坡面坡角相等時,可以在像素開口區成膜過程中,有效的減小由于長邊部和短邊部的坡度角不同對墨水干燥過程中成膜厚度的影響。
優選的,所述像素界定層包括親液性材料層以及位于所述親液性材料層遠離所述基板一側的疏液性材料層。
優選的,所述長邊部的所述疏液性材料層的厚度s1,與所述親液性材料層的厚度s2之間滿足:s1≥1/2s2。將像素界定層設置成親液性材料層和疏液性材料層的組合,且親液性材料層設置在靠近基板的一側,在對基板的像素進行噴墨打印的過程中,可以有效的防止像素邊緣出現嚴重的攀爬現象。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





