[發(fā)明專利]一種運用垂直螺旋式硅通孔電感的低通濾波器

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201711146981.0
• 申請日: 2017-11-17
• 公開（公告）號: CN107768781A
• 公開（公告）日: 2018-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙文生;泮金煒;徐魁文;趙鵬;王高峰
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州電子科技大學(xué)
• 主分類號: H01P1/20
• 分類號: H01P1/20;H01L23/64
• 代理公司: 杭州君度專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙)33240
• 代理人: 黃前澤

1.一種運用垂直螺旋式硅通孔電感的低通濾波器，由多個元件單元構(gòu)成，輸入輸出端口位于基底頂部的重新布局層，其特征在于：

所述元件單元包括位于基底頂部的重新布局層、位于基底中間的硅通孔陣列與同軸硅通孔陣列、位于基底底部的重新構(gòu)建層；

硅通孔陣列包括位于同一直線但互不連接的六個硅通孔，從左至右定義為第一至第六硅通孔；同軸硅通孔陣列與硅通孔陣列平行設(shè)置，從左至右包括第一、第二同軸硅通孔；

第一硅通孔的重新布局層端與第一同軸硅通孔的重新布局層端通過金屬線連接，第二硅通孔的重新布局層端與第六硅通孔的重新布局層端通過金屬線連接，第三硅通孔的重新布局層端與第五硅通孔的重新布局層端通過金屬線連接，第四硅通孔的重新布局層端與第二同軸硅通孔的重新布局層端通過金屬線連接，第一硅通孔的重新構(gòu)建層端與第六硅通孔的重新構(gòu)建層端通過金屬線連接，第二硅通孔的重新布局層端與第五硅通孔的重新構(gòu)建層端通過金屬線連接，第三硅通孔的重新布局層端與第四硅通孔的重新構(gòu)建層端通過金屬線連接，將第一同軸硅通孔的重新布局層端作為整個器件的信號輸入端口或接相鄰單元的信號輸出端口，將第二同軸硅通孔的重新布局層端作為整個器件的信號輸出端口或接相鄰單元的信號輸入端口。

2.如權(quán)利要求1所述的一種運用垂直螺旋式硅通孔電感的低通濾波器，其特征在于位于基底頂部的重新布局層、位于基底中間的硅通孔陣列、位于基底底部的重新構(gòu)建層構(gòu)成垂直螺旋式硅通孔電感器；其中硅通孔間的間距、硅通孔的高度與半徑?jīng)Q定垂直螺旋式硅通孔電感器的電感值。

3.如權(quán)利要求1所述的一種運用垂直螺旋式硅通孔電感的低通濾波器，其特征在于位于基底頂部的重新布局層、位于基底中間的同軸硅通孔陣列構(gòu)成同軸硅通孔電容器；同軸硅通孔的高度、內(nèi)徑和外徑?jīng)Q定同軸硅通孔電容器電容值的大小。

4.如權(quán)利要求1所述的一種運用垂直螺旋式硅通孔電感的低通濾波器，其特征在于同軸硅通孔由金屬內(nèi)芯、內(nèi)部絕緣層、金屬外環(huán)和外部絕緣層貫穿基底構(gòu)成；金屬內(nèi)芯、內(nèi)部絕緣層和金屬外環(huán)構(gòu)成的環(huán)形結(jié)構(gòu)構(gòu)成電容器。

5.如權(quán)利要求4所述的一種運用垂直螺旋式硅通孔電感的低通濾波器，其特征在于內(nèi)部絕緣層層選用高介電常數(shù)材料來增大電容值。

6.如權(quán)利要求1所述的一種運用垂直螺旋式硅通孔電感的低通濾波器，其特征在于硅通孔由金屬內(nèi)芯和絕緣層貫穿基底構(gòu)成。