[發明專利]圖像傳感器及其形成方法

在審

• 申請號: 201711146920.4
• 申請日: 2017-11-17
• 公開（公告）號: CN107946330A
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 吳明;吳孝哲;林宗賢;吳龍江;薛超;朱曉彤
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 張振軍,吳敏

1.一種圖像傳感器的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供半導體襯底，所述半導體襯底內具有光電二極管有源層；

在所述半導體襯底的表面形成犧牲層；

刻蝕所述犧牲層以及所述半導體襯底，以形成深溝槽，所述深溝槽至少貫穿所述光電二極管有源層的一部分；

形成深槽隔離層，所述深槽隔離層覆蓋所述深溝槽的內壁；

向所述深溝槽內填充金屬，以形成金屬格柵。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，還包括：

去除所述犧牲層；

形成格柵保護層，所述格柵保護層覆蓋所述金屬格柵、所述深槽隔離層以及所述半導體襯底；

在相鄰的金屬格柵之間設置濾鏡。

3.根據權利要求2所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述去除所述犧牲層包括：

平坦化所述犧牲層、所述深槽隔離層以及所述金屬格柵；

去除平坦化后的所述犧牲層。

4.根據權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述形成深槽隔離層包括：

采用原子層沉積工藝形成所述深槽隔離層。

5.根據權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，在所述半導體襯底的表面形成犧牲層之前，還包括：

形成襯底保護層；

其中，所述犧牲層堆疊于所述襯底保護層。

6.根據權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，

所述犧牲層的材料包括多晶硅。

7.根據權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，向所述深溝槽內填充金屬之前，還包括：

形成阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述深槽隔離層的表面。

8.根據權利要求7所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，

所述阻擋層的材料包括氮化鈦，其中，所述氮化鈦是采用TiCl₄形成的。

9.根據權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，向所述深溝槽內填充金屬包括：

采用化學氣相沉積工藝，向所述深溝槽內填充鎢。

10.一種圖像傳感器，其特征在于，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底內具有光電二極管有源層；

犧牲層，位于所述半導體襯底的表面；

深溝槽，位于所述犧牲層和所述半導體襯底內，所述深溝槽至少貫穿所述光電二極管有源層的一部分；

深槽隔離層，所述深槽隔離層覆蓋所述深溝槽的內壁；

金屬格柵，所述金屬格柵填充于所述深溝槽內。