[發(fā)明專利]一種運(yùn)用垂直螺旋式硅通孔電感的新型超緊湊無源諧振器

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711146891.1
• 申請(qǐng)日: 2017-11-17
• 公開（公告）號(hào): CN107768346A
• 公開（公告）日: 2018-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙文生;泮金煒;趙鵬;徐魁文;王高峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L23/522
• 分類號(hào): H01L23/522;H01L27/01
• 代理公司: 杭州君度專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙)33240
• 代理人: 黃前澤

1.一種運(yùn)用垂直螺旋式硅通孔電感的新型超緊湊無源諧振器，由多個(gè)元件單元構(gòu)成，輸入和輸出端口位于基底頂部的重新布局層；其特征在于：

所述元件單元包括位于基底頂部的重新布局層、位于基底中間的硅通孔陣列與同軸硅通孔、位于基底底部的重新構(gòu)建層；

硅通孔陣列包括位于同一直線且互不連接的六個(gè)硅通孔；第一硅通孔的重新布局層端與同軸硅通孔的重新布局層端通過金屬線連接，第二硅通孔的重新布局層端與第六硅通孔的重新布局層端通過金屬線連接，第三硅通孔的重新布局層端與第五硅通孔的重新布局層端通過金屬線連接，第四硅通孔的重新布局層端與同軸硅通孔的重新布局層端通過金屬線連接，第一硅通孔的重新構(gòu)建層端與第六硅通孔的重新構(gòu)建層端通過金屬線連接，第二硅通孔的重新構(gòu)建層端與第五硅通孔的重新構(gòu)建層端通過金屬線連接，第三硅通孔的重新構(gòu)建層端與第四硅通孔的重新構(gòu)建層端通過金屬線連接；將同軸硅通孔的重新布局層端同時(shí)作為整個(gè)諧振器的信號(hào)輸入輸出端口或與相鄰單元的信號(hào)輸入輸出端口連接。

2.如權(quán)利要求1所述的一種運(yùn)用垂直螺旋式硅通孔電感的新型超緊湊無源諧振器，其特征在于位于基底頂部的重新布局層、位于基底中間的硅通孔陣列、位于基底底部的重新構(gòu)建層構(gòu)成垂直螺旋式硅通孔電感器；硅通孔間的間距、硅通孔的高度與半徑?jīng)Q定垂直螺旋式硅通孔電感器的電感值。

3.如權(quán)利要求1所述的一種運(yùn)用垂直螺旋式硅通孔電感的新型超緊湊無源諧振器，其特征在于位于基底頂部的重新布局層、位于基底中間的同軸硅通孔構(gòu)成同軸硅通孔電容器；同軸硅通孔的高度、內(nèi)徑和外徑?jīng)Q定同軸硅通孔電容器電容值。

4.如權(quán)利要求1所述的一種運(yùn)用垂直螺旋式硅通孔電感的新型超緊湊無源諧振器，其特征在于同軸硅通孔由金屬內(nèi)芯、內(nèi)部絕緣層、金屬外環(huán)和外部絕緣層貫穿基底構(gòu)成；金屬內(nèi)芯、內(nèi)部絕緣層和金屬外環(huán)構(gòu)成的環(huán)形結(jié)構(gòu)構(gòu)成電容器。

5.如權(quán)利要求4所述的一種運(yùn)用垂直螺旋式硅通孔電感的新型超緊湊無源諧振器，其特征在于內(nèi)部絕緣層層選用高介電常數(shù)材料來增大電容值。

6.如權(quán)利要求1所述的一種運(yùn)用垂直螺旋式硅通孔電感的新型超緊湊無源諧振器，其特征在于硅通孔由金屬內(nèi)芯和絕緣層貫穿基底構(gòu)成。