[發(fā)明專利]一體化氫氣傳感器及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711146853.6 | 申請日： | 2017-11-17 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107991351B | 公開（公告）日： | 2020-09-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉又清;金忠;謝鋒;何迎輝;曹勇全 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所 |
| 主分類號(hào)： | G01N27/12 | 分類號(hào)： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 湖南兆弘專利事務(wù)所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周長清;廖元寶 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一體化 氫氣 傳感器 及其 制作方法 | ||
1.一種一體化氫氣傳感器，包括氫敏薄膜芯片（1）、恒溫控制電路（2）和信號(hào)處理電路（3），其特征在于，所述氫敏薄膜芯片（1）、恒溫控制電路（2）和信號(hào)處理電路（3）集成在同一基片（5）上；所述氫敏薄膜芯片（1）布置在所述基片（5）的中部，所述恒溫控制電路（2）和信號(hào)處理電路（3）分別位于所述氫敏薄膜芯片（1）的兩側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體化氫氣傳感器，其特征在于，所述基片（5）為Al2O3陶瓷基片。
3.一種基于如權(quán)利要求1至2中任意一項(xiàng)所述的一體化氫氣傳感器的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
S01、在基片（5）上燒印連線、隔離層、電阻及焊盤；
S02、將恒溫控制電路（2）、信號(hào)處理電路（3）中的半導(dǎo)體芯片和氫敏薄膜芯片（1）粘貼在基片（5）預(yù)留位置，并進(jìn)行烘膠處理；
S03、將芯片焊盤和基片（5）焊盤對應(yīng)位置進(jìn)行焊接引線，實(shí)現(xiàn)電氣連接；
S04、將恒溫控制電路（2）、信號(hào)處理電路（3）中的電容焊接在指定的位置上；
S05、調(diào)試，調(diào)整各電阻和電容的參數(shù)；
S06、進(jìn)行性能測試，在性能測試通過后，在氫敏薄膜芯片（1）處粘貼導(dǎo)氣管（4）。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，在步驟S01中，在電阻表面燒印一層保護(hù)膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，在步驟S03中，采用硅鋁絲綁定工藝將芯片焊盤和基片（5）焊盤對應(yīng)位置進(jìn)行焊接引線。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，在步驟S04中，采用人工或者自動(dòng)貼片的方式將電容焊接在指定的位置上。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，在步驟S05中，通過激光束調(diào)整電阻的阻值。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，在步驟S06中，性能測試包括精度、重復(fù)性、穩(wěn)定性和絕緣強(qiáng)度性能測試。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，在步驟S06中，在基片（5）上各電路元器件上粘貼保護(hù)殼。
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