[發明專利]一種聚合物材料及其制備方法和應用

在審

• 申請號: 201711146035.6
• 申請日: 2017-11-17
• 公開（公告）號: CN109796714A
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 楊成玉;楊一行
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: C08L33/08
• 分類號: C08L33/08;C08K9/10;C08K9/06;C08K3/30;C09K11/56;H01L51/54
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種聚合物材料的制備方法，其特征在于，包括步驟：

提供顆粒，所述顆粒包括量子點和包覆于所述量子點表面的水氧阻隔材料；

采用烷氧基硅烷偶聯劑對所述顆粒表面進行表面修飾，得到表面烷氧基硅烷偶聯劑修飾的顆粒，其中烷氧基硅烷偶聯劑的非烷氧基碳鏈末端的取代基團為含有碳碳雙鍵的取代基、巰基取代基或胺基取代基；

將所述表面烷氧基硅烷偶聯劑修飾的顆粒、引發劑和含乙烯基的單體混合，使所述含乙烯基的單體與顆粒表面的烷氧基硅烷偶聯劑結合并使所述含乙烯基的單體之間發生聚合反應，制備得到所述聚合物材料。

2.根據權利要求1所述的聚合物材料的制備方法，其特征在于，所述水氧阻隔層材料選自二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋁和碳化硅中的一種。

3.根據權利要求1所述的聚合物材料的制備方法，其特征在于，所述烷氧基硅烷偶聯劑選自γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、γ-巰基丙基三甲氧基硅烷、γ-巰基丙基三乙氧基硅烷、γ-胺基丙基三甲氧基硅烷和γ-胺基丙基三乙氧基硅烷中的一種。

4.根據權利要求1所述的聚合物材料的制備方法，其特征在于，所述采用烷氧基硅烷偶聯劑對所述量子點表面進行表面修飾具體包括：

將所述顆粒、去離子水及烷氧基硅烷偶聯劑分散到有機溶劑中得到混合液，在酸性條件下和惰性氣體氣氛中，加熱反應后干燥即得到烷氧基硅烷偶聯劑修飾的顆粒。

5.根據權利要求4所述的聚合物材料的制備方法，其特征在于，按去離子水、所述顆粒、所述烷氧基硅烷偶聯劑與有機溶劑的質量比為1-20:1-20:1-20:5-20，將所述顆粒、去離子水及烷氧基硅烷偶聯劑分散到有機溶劑中得到混合液。

6.根據權利要求1所述的聚合物材料的制備方法，其特征在于，將所述表面烷氧基硅烷偶聯劑修飾的顆粒、引發劑和含乙烯基的單體混合的步驟中，所述含乙烯基的單體為單乙烯基單體。

7.根據權利要求6所述的聚合物材料的制備方法，其特征在于，按烷偶聯劑修飾的顆粒、單乙烯基單體和引發劑的質量比為(0.01~0.5):1:(0.05~0.1), 將所述表面烷氧基硅烷偶聯劑修飾的顆粒、引發劑和含乙烯基的單體混合。

8.根據權利要求1所述的聚合物材料的制備方法，其特征在于，將所述表面烷氧基硅烷偶聯劑修飾的顆粒、引發劑和含乙烯基的單體混合的步驟中，所述含乙烯基的單體包括單乙烯基單體和多乙烯基交聯單體。

9.根據權利要求8所述的聚合物材料的制備方法，其特征在于，按烷偶聯劑修飾的顆粒、乙烯基單體、多乙烯基交聯單體和引發劑的質量比為(0.01~0.5):1:(0.05~0.1):(0.005~0.01)，將烷氧基硅烷偶聯劑修飾的顆粒、乙烯基單體、多乙烯基交聯單體和引發劑混合。

10.根據權利要求1所述的聚合物材料的制備方法，其特征在于，將所述表面烷氧基硅烷偶聯劑修飾的顆粒、引發劑和含乙烯基的單體混合，在無氧條件下加熱反應，使所述含乙烯基的單體與顆粒表面的烷氧基硅烷偶聯劑結合并使所述含乙烯基的單體之間發生聚合反應，制備得到所述聚合物，加熱反應溫度為60℃-100℃，反應時間為3-10小時。

11.根據權利要求1所述的聚合物材料的制備方法，其特征在于，將所述表面烷氧基硅烷偶聯劑修飾的顆粒、引發劑和含乙烯基的單體混合，在無氧條件下加熱反應，使所述含乙烯基的單體與顆粒表面的烷氧基硅烷偶聯劑結合并使所述含乙烯基的單體之間發生聚合反應，制備得到所述聚合物，加熱反應分兩段進行，第一段加熱反應的溫度為60℃-80℃，反應時間為1.5-5小時；第二段加熱反應的溫度為80℃-100℃，反應時間為1.5-5小時。